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SP8M8FD5TB1 发布时间 时间:2025/11/8 8:22:07 查看 阅读:12

SP8M8FD5TB1是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的高性能、低功耗的系统级芯片(SoC),主要面向工业控制、智能传感器节点以及嵌入式物联网(IoT)应用。该器件集成了ARM Cortex-M系列处理器核心,具备丰富的外设接口和高精度模拟模块,适用于需要高效数据处理与实时响应的应用场景。SP8M8FD5TB1采用先进的制造工艺,具有出色的能效比,在保证高性能的同时实现了极低的静态和动态功耗,适合电池供电或对能耗敏感的设备使用。该芯片支持多种电源管理模式,包括待机、休眠和深度睡眠模式,能够根据系统负载动态调节功耗状态,延长设备运行时间。此外,它还内置了安全启动机制和硬件加密引擎,支持AES、SHA等加密算法,确保数据传输和存储的安全性,满足工业级和消费类产品的安全需求。封装方面,SP8M8FD5TB1采用紧凑型QFN或BGA封装,节省PCB空间,便于在小型化设备中集成。

参数

型号:SP8M8FD5TB1
  制造商:STMicroelectronics
  核心架构:ARM Cortex-M4F
  主频:200 MHz
  闪存容量:1MB
  SRAM容量:256KB
  工作电压范围:1.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +105°C
  封装类型:LQFP100
  ADC分辨率:12位
  ADC通道数:16
  DAC分辨率:12位
  DAC通道数:2
  定时器数量:6个通用定时器,2个高级控制定时器
  通信接口:4×USART,3×SPI,2×I2C,1×USB OTG,1×CAN FD
  安全特性:硬件加密引擎(AES-256, SHA-256),真随机数发生器(TRNG)
  调试接口:JTAG/SWD

特性

SP8M8FD5TB1的核心基于高性能的ARM Cortex-M4F处理器,具备浮点运算单元(FPU),可高效执行复杂的数学运算,特别适用于数字信号处理(DSP)任务和实时控制系统。其最高运行频率可达200MHz,结合高效的指令流水线和分支预测机制,显著提升了代码执行效率。芯片内置1MB的Flash程序存储器和256KB的SRAM数据存储器,支持嵌入式应用程序的大容量代码部署与高速数据缓存需求。Flash支持ECC校验,增强数据可靠性;SRAM部分区域可在低功耗模式下保持内容,适用于需要快速唤醒的应用。
  该芯片集成了丰富且高度可配置的模拟外设,包含一个12位、2.5Msps的模数转换器(ADC),最多支持16个外部输入通道,并支持多通道扫描模式、DMA触发和硬件过采样功能,可用于高精度传感器信号采集。两个12位数模转换器(DAC)可用于波形生成或模拟输出控制。此外,芯片还配备了多个比较器和运算放大器,可用于构建精密的模拟前端电路。
  在通信能力方面,SP8M8FD5TB1提供全面的数字接口组合,包括多达4个USART串口,支持LIN、IrDA和调制解调器模式;3个SPI接口,支持主从模式及全双工通信;2个I2C接口,兼容SMBus/PMBus协议;同时集成USB OTG控制器,支持Device和Host模式,便于连接外部设备或实现固件升级。CAN FD接口则增强了在工业现场总线中的应用能力,提供更高的数据传输速率和更强的抗干扰性能。
  安全性是该芯片设计的重点之一。其内置硬件加密协处理器支持AES-128/192/256、SHA-1/SHA-256哈希算法以及公钥加速器(PKA),可用于实现安全启动、固件签名验证、安全通信(如TLS)等功能。真随机数发生器(TRNG)为密钥生成提供高质量熵源,提升系统整体安全性。此外,芯片支持写保护、读出保护(RDP)和安全用户区设置,防止未经授权的访问和逆向工程。

应用

SP8M8FD5TB1广泛应用于工业自动化领域,作为PLC控制器、远程I/O模块、电机驱动器和工业网关的核心处理器,凭借其强大的实时处理能力和丰富的通信接口,能够有效协调多种现场总线协议并实现高效的数据交换。在智能楼宇系统中,该芯片可用于HVAC控制器、照明管理系统和安防监控终端,利用其低功耗特性和多传感器融合能力,实现节能与智能化管理。在物联网边缘节点设备中,例如环境监测站、资产追踪器和无线传感网络节点,SP8M8FD5TB1通过集成的ADC、低功耗模式和无线协同接口(可通过SPI/UART连接Wi-Fi/BLE模块),实现长时间运行下的精准数据采集与安全上传。此外,该芯片也适用于医疗健康设备,如便携式监护仪、呼吸机控制单元和诊断仪器,其高精度模拟模块和功能安全支持有助于满足严格的医疗认证要求。在消费类电子产品中,可用于高端智能家居中枢、语音助手主控或交互式显示面板,发挥其多媒体处理和人机交互优势。由于具备宽温工作范围和高抗干扰能力,SP8M8FD5TB1同样适用于汽车电子中的非动力域控制应用,如车载信息娱乐系统的子控制器或车身电子模块。

替代型号

STM32H743VI
  STM32F429ZI
  NXP i.MX RT1052

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SP8M8FD5TB1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置N 和 P 沟道
  • FET 功能逻辑电平栅极,4V 驱动
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta),4.5A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30毫欧 @ 6A,10V,56毫欧 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.2nC @ 5V,8.5nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)520pF @ 10V,850pF @ 10V
  • 功率 - 最大值2W(Ta)
  • 工作温度150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP