时间：2025/12/25 12:54:52
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SP8M24FRA是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为高速数据接口的静电放电（ESD）和电气快速瞬变（EFT）保护而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备极低的电容特性，适用于保护敏感的电子电路免受瞬态过电压事件的损害。SP8M24FRA常用于便携式消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统中，尤其是在需要高信号完整性和可靠防护的应用场景下表现出色。其封装形式为小型化的DFN（Dual Flat No-lead）封装，有助于节省PCB空间，同时提供良好的热性能和电气性能。该器件符合RoHS环保标准，并通过了IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-4等国际电磁兼容性测试标准，确保在严苛环境下的稳定运行。
类型：TVS二极管阵列
通道数：4通道
工作电压（VRWM）：24V
击穿电压（VBR）：26.7V（最大值）
钳位电压（VC）：39.1V（在IPP=1A条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：1A（单次8/20μs浪涌）
结电容（Cj）：典型值0.3pF（频率1MHz）
响应时间：小于1ns
封装类型：DFN-6（1.6mm x 1.6mm）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
ESD耐受能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
EFT耐受能力：±2kV（IEC 61000-4-4）
SP8M24FRA具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应并箝制瞬态过电压，从而有效保护后级集成电路不受损坏。其核心优势之一是超低电容设计，每个引脚的典型结电容仅为0.3pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入额外的信号衰减或失真，因此非常适合用于USB 3.0、HDMI、DisplayPort、SD卡接口以及其他高速差分对信号线的ESD防护。由于现代电子设备趋向于更高的数据速率和更紧凑的设计，传统保护器件往往因寄生电容过大而导致信号完整性下降，而SP8M24FRA通过优化的芯片结构和材料选择解决了这一问题。
该器件采用多层ESD保护架构，结合齐纳二极管与可控硅技术，实现双向保护功能，可应对正负极性的瞬态冲击。其快速响应时间小于1纳秒，远快于大多数外部瞬态事件的发生速度，确保在第一个电压尖峰到达前即完成导通动作。此外，SP8M24FRA具有优异的功率耗散能力和热稳定性，即使在连续多次ESD事件下也能保持性能不变。DFN-6封装不仅体积小巧，还提供了良好的接地散热路径，增强了长期工作的可靠性。
从系统设计角度看，SP8M24FRA无需外部偏置电源即可正常工作，简化了电路布局。它支持多种常见的PCB组装工艺，包括回流焊和波峰焊，并且具备出色的机械强度和抗振动能力。产品通过AEC-Q101车规级认证，表明其在汽车电子环境中也具备应用潜力。整体而言，SP8M24FRA是一款兼顾高性能、小型化与高可靠性的集成化保护方案，特别适合对空间和信号质量要求严苛的高端电子平台使用。
广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品的高速接口保护；适用于USB Type-C、HDMI、MIPI、Ethernet等高速数据线路的静电防护；可用于工业自动化设备中的通信端口保护；适合汽车信息娱乐系统及车载连接器的瞬态抑制需求；适用于医疗仪器、测试测量设备中对信号完整性要求较高的场合；也可作为路由器、交换机等网络通信设备的数据线保护元件。
SP8M24URATG
