SP8K67-TB 时间：2025/6/17 10:17:30 阅读：4

SP8K67-TB是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用TO-220封装形式，具备低导通电阻和高击穿电压的特点，能够显著提高电路效率并降低功耗。
　　该芯片由知名半导体制造商生产，适用于多种工业和消费类电子设备中的功率管理解决方案。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　总功耗：125W
　　结温范围：-55℃ to +150℃

特性

SP8K67-TB的主要特点是其低导通电阻（仅1.5mΩ），这使得它在大电流应用中表现优异，并能有效减少热损耗。同时，它具有较高的漏源击穿电压（60V），保证了在高压环境下的稳定性。
　　此外，该器件支持快速开关操作，其栅极电荷较小，从而减少了开关延迟时间，提高了整体效率。由于采用了TO-220标准封装，SP8K67-TB还具备良好的散热性能，非常适合需要长时间稳定运行的功率系统。
　　这款芯片还具备出色的ESD防护能力以及短路耐受能力，使其能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。