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SP8K2TB 发布时间 时间:2025/6/4 17:26:36 查看 阅读:7

SP8K2TB 是一种高可靠性、高性能的开关电源管理芯片,广泛应用于需要高效能转换和低功耗设计的场景。该芯片集成了多种功能模块,包括 PWM 控制器、高压启动电路以及全面的保护机制。其设计目的是简化电源适配器、充电器以及其他消费类电子产品的电源设计流程。
  SP8K2TB 能够提供稳定的工作性能,在不同负载条件下均能保持较高的转换效率,并支持多种反馈模式以满足不同的应用需求。

参数

工作电压:16V~80V
  输出电流:最大3A
  开关频率:100kHz~400kHz可调
  PWM占空比:最高90%
  待机功耗:小于50mW
  封装形式:SOIC-8
  工作温度范围:-40℃~125℃

特性

SP8K2TB 具有以下显著特性:
  1. 高效的功率转换能力,能够显著降低能量损耗。
  2. 内置高压启动电路,减少外部元件数量,从而降低成本并提高可靠性。
  3. 支持多种反馈模式(如光耦反馈、电阻分压反馈等),灵活适应不同应用场景。
  4. 提供全面的保护功能,包括过流保护、短路保护、过温保护等,确保系统运行安全。
  5. 待机功耗极低,非常适合节能要求高的设备。
  6. 封装小巧,便于在紧凑型设计中使用。

应用

SP8K2TB 主要应用于以下领域:
  1. 手机充电器及平板电脑充电器。
  2. USB-PD(Power Delivery)适配器。
  3. 小型家用电器的电源模块。
  4. LED 照明驱动电源。
  5. 工业控制设备中的辅助电源单元。
  6. 笔记本电脑外接电源适配器。

替代型号

SP8K2TA, SP8K2TC, SP8K2TD

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SP8K2TB参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds520pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP8K2TB-NDSP8K2TBTR