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SP8J2TB 发布时间 时间:2025/11/8 5:11:51 查看 阅读:6

SP8J2TB是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)以及雷击感应等瞬态过电压事件的损害。该器件属于SP系列,专为高速数据线和电源线路提供高效、可靠的保护而设计。SP8J2TB采用多芯片封装技术,集成了多个TVS二极管,能够同时对多条信号线进行保护,广泛应用于通信接口、消费类电子产品、工业控制设备以及汽车电子等领域。其紧凑的封装形式不仅节省了PCB空间,还确保了在高频信号传输中的低寄生效应,从而保证信号完整性不受影响。此外,SP8J2TB符合多项国际安全与环保标准,包括IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等电磁兼容性规范,并满足RoHS和REACH指令要求,适用于全球范围内的商业和工业产品设计。

参数

类型:TVS二极管阵列
  通道数:2
  工作电压(VRWM):5.0V
  击穿电压(VBR):6.4V @ 1mA
  最大钳位电压(VC):10V @ IPP
  峰值脉冲电流(IPP):3A
  ESD耐受能力:±30kV(接触放电)
  响应时间:小于1ns
  封装形式:SOT-23-6L
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  引脚数量:6

特性

SP8J2TB具备卓越的瞬态电压抑制性能,能够在纳秒级时间内响应高达±30kV的静电放电冲击,有效防止ESD事件对下游集成电路造成损坏。其低工作电压(5.0V)和低钳位电压(10V)使其非常适合用于保护3.3V或5V供电的逻辑电路和高速数据接口,如USB、HDMI、RS-232、I2C和GPIO线路。由于采用了先进的硅PN结制造工艺,该器件具有非常低的漏电流(通常小于1μA),在正常工作条件下不会对系统功耗产生显著影响。同时,其动态电阻极小,能够在大电流瞬变期间维持稳定的钳位电压,避免被保护节点出现过压情况。
  该TVS阵列的双通道设计允许独立保护两条信号线,每个通道都具备双向保护能力,可应对正负极性的瞬态干扰。这种灵活性使其在差分信号线(如USB D+ / D-)保护中表现出色。SOT-23-6L的小型化封装不仅节省宝贵的PCB面积,而且具有良好的高频特性,寄生电容低于10pF,确保在高速数据传输(可达数百Mbps)过程中不会引起信号失真或衰减。此外,该封装支持回流焊和波峰焊工艺,适合自动化生产流程。
  SP8J2TB的热稳定性优异,在多次重复性浪涌冲击下仍能保持性能一致,不会发生老化或退化现象。其高可靠性已在汽车电子和工业环境中得到验证,可在极端温度和湿度条件下长期稳定运行。整体而言,SP8J2TB是一款高性能、高集成度的电路保护解决方案,特别适用于需要紧凑布局和强抗扰能力的应用场景。

应用

广泛应用于便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的接口保护;通信设备中的USB、HDMI、以太网端口防护;工业控制系统中的传感器接口和PLC模块;汽车电子中的车载娱乐系统和CAN总线辅助保护;以及其他需要对抗ESD和瞬态干扰的低压数字电路中。

替代型号

[
   "SP8J2BA",
   "SMF05CT",
   "RCLAMP0504P",
   "TPD1E10B06",
   "ESD9L5.0ST5G"
  ]

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SP8J2TB参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C56 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP8J2TB-NDSP8J2TBTR