类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：45 V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：80 A（在 Tc=25°C 下）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 4.5 mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK
　　功耗（Ptot）：160 W
　　漏极-源极击穿电压：45 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　漏极电流峰值：240 A

SP85N045 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为 4.5 mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其高电流承载能力（可达 80A）使其适用于大功率应用场景，如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动系统。
　　该器件采用先进的 Power MOSFET 技术，具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定工作。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）确保了在各种极端环境下的可靠性。
　　此外，SP85N045 提供了快速的开关性能，减少了开关损耗，有助于提高电源系统的整体效率。其栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路设计更为简单，降低了驱动损耗。
　　封装方面，SP85N045 通常采用 TO-220 或 D2PAK 封装，便于安装在散热片上，提高散热效率。这种封装形式也广泛用于工业级功率电子设备中，具有良好的通用性和兼容性。

SP85N045 被广泛应用于多种功率电子系统中，主要包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：由于其低导通电阻和高电流能力，SP85N045 非常适合用于高频开关电源中的主开关或同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器：在升压、降压或升降压转换器中，SP85N045 可以实现高效率的能量转换，尤其适用于高电流输出场合。
　　3. 电机控制：在电机驱动电路中，该 MOSFET 可作为 H 桥结构中的开关元件，支持高效率和快速响应的电机控制。
　　4. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电管理电路中，SP85N045 可用于实现高效的能量传输和保护功能。
　　5. 工业自动化设备：在各种工业控制系统中，如伺服驱动器、逆变器和电源分配系统中，SP85N045 提供了可靠的功率开关解决方案。
　　6. 汽车电子：在汽车应用中，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等，SP85N045 能够提供稳定的功率开关性能。

IRF1405, IPW90R045C3, FDP85N045BL, STP85N045-04M2, SPW85N045-04MC2}