时间：2025/6/14 10:53:20
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SP481RCN 是一款单通道 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件通常用于需要高效能、低损耗的开关应用中，适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
SP481RCN 的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下工作，同时保持较低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了整体效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值）：55mΩ
栅极电荷：7nC
输入电容：160pF
功耗：1W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻，有助于降低功率损耗。
2. 高速开关性能，支持高频应用。
3. 较低的栅极驱动电压要求，兼容标准 CMOS 和 TTL 输出。
4. 小型封装，适合紧凑型设计。
5. 静电保护设计，提高器件的可靠性。
SP481RCN 常用于多种场景下的功率管理与转换，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动及负载切换。
4. 电池保护和充电电路。
5. 各类消费电子产品中的电源管理模块。
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