时间：2025/8/14 1:13:19
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SODJ78A-SH 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高功率密度和快速开关性能。SODJ78A-SH 采用 SOT-23 封装形式，适用于需要小尺寸和高效率的便携式电子设备和电源管理系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：200 mA
最大漏极-源极电压（VDS）：30 V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：最大 3.5 Ω（在 VGS = 10 V）
阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
最大功耗（PD）：300 mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
SODJ78A-SH MOSFET 具有出色的导通和开关性能。其低导通电阻确保在导通状态下损耗较小，从而提高整体系统效率。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 10V 的逻辑电平驱动，适用于多种数字控制应用。
由于采用 SOT-23 小型封装，SODJ78A-SH 非常适合空间受限的应用，如智能手机、可穿戴设备和其他便携式电子产品。
此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定工作，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
其快速开关特性减少了开关损耗，提高了电源转换效率，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。
SODJ78A-SH 广泛应用于低功率开关电路、电池管理系统、便携式设备的电源管理、负载开关控制、逻辑电平驱动电路以及小型 DC-DC 转换器等场景。
Si2302DS, 2N7002, FDV301N
