SO5551-TR是一种常用的NPN型高频晶体管,广泛用于射频(RF)放大、低噪声放大(LNA)以及通用开关应用。该器件采用SOT-23封装,适用于各种高频电路设计。其高增益和低噪声系数特性使其在无线通信系统中非常受欢迎。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流:100 mA
最大集电极-发射极电压:300 V
最大集电极-基极电压:300 V
最大基极电流:5 mA
最大功耗:300 mW
过渡频率:250 MHz
直流电流增益(hFE):典型值为50-300(根据工作电流)
噪声系数:典型值为3 dB
SO5551-TR的主要特性包括其高过渡频率(fT)和良好的低噪声性能,非常适合用于高频放大器设计。
这款晶体管的hFE(电流增益)在不同集电极电流下表现稳定,使其在放大电路中具有良好的线性度。
其SOT-23封装体积小巧,适合用于高密度PCB布局。
此外,SO5551-TR能够承受较高的电压,适用于中等功率的开关应用。
由于其低噪声系数,该器件常用于前端射频放大器,以提高接收信号的灵敏度。
在设计时可以使用简单的偏置电路即可实现稳定的工作点。
SO5551-TR广泛应用于射频放大器设计,特别是在VHF和UHF频段。
它被用于无线通信系统的低噪声放大器(LNA),以提高接收信号的质量。
该器件适用于音频放大电路和前置放大器的设计。
在数字电路中,SO5551-TR可以作为开关元件使用,适用于驱动LED、继电器或其他负载。
由于其高电压耐受能力,该晶体管也用于电源管理和电压调节电路。
BC547, 2N3904, PN2222