时间：2025/4/30 16:41:25
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SNJ5474W是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
其封装形式通常为TO-220或TO-252，具体取决于制造商的规格设计。该器件适用于多种电压和电流范围，特别适合需要高可靠性和高效能的应用场景。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：125W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
栅极电荷(Qg)：48nC
反向恢复时间(trr)：85ns
SNJ5474W的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗、高雪崩能力以增强可靠性、快速开关性能以及优化的热阻设计以改善散热性能。
此外，该器件具备出色的抗电磁干扰能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
其紧凑的封装形式也为设计人员提供了更大的布局灵活性，同时有助于减小整体方案尺寸。
该MOSFET适用于各种工业和消费类电子领域，典型应用场景包括直流-直流转换器、逆变器、电动工具驱动、不间断电源(UPS)系统、LED照明驱动以及汽车电子中的负载切换等。
由于其高效的性能和广泛的电压适配能力，SNJ5474W成为许多工程师在功率管理设计中的首选方案。
IRF540N
FDP5800
STP36NF06L
