时间：2025/5/14 18:36:49
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SN65HVS885 是一款双通道高压侧驱动器，专为驱动功率MOSFET和IGBT设计。它能够提供高电流输出，以确保快速开关和高效性能。该器件采用高压电平转换技术，可以承受高达600V的瞬态电压。此外，SN65HVS885支持宽范围输入电压，并具有低传播延迟和良好的匹配特性，使其非常适合于各种工业应用，例如电机控制、电源管理和太阳能逆变器。
该芯片内置欠压锁定保护(UVLO)功能，防止在不适当的电压条件下运行，从而提高系统的可靠性和安全性。
输入电压范围：4.5V至18V
输出峰值电流：±4A
传播延迟：40ns（典型值）
工作温度范围：-40℃至+125℃
最小耐压能力：600V
封装类型：SOIC-8
1. 高耐压能力，适合驱动高压功率MOSFET和IGBT。
2. 双通道独立驱动，适用于同步整流拓扑。
3. 内置欠压锁定保护(UVLO)，增强系统稳定性。
4. 低传播延迟和良好匹配特性，确保精准时序控制。
5. 工作温度范围广，适应恶劣环境下的应用需求。
6. 小型封装便于PCB布局和集成设计。
1. 电机驱动与控制，如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
2. 开关电源(SMPS)中的功率级驱动。
3. 不间断电源(UPS)中的逆变电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理单元。
6. 电动车和混合动力汽车的动力系统控制。
IR2110
SI823x
TLP250
