SN54S373是一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),具有1024位的存储容量。该芯片采用先进的制造工艺,能够在低功耗和高性能之间实现良好的平衡。其主要功能是作为临时数据存储单元,广泛应用于各种需要快速访问和保存数据的场景中。
该器件具有高可靠性和稳定性,支持多种时钟模式,并且在工业温度范围内(-55°C至+125°C)内表现优异。
存储容量:1024位
组织结构:128 x 8
电源电压(Vcc):4.5V至5.5V
工作电流:最大30mA
访问时间:35ns(典型值)
封装形式:20引脚陶瓷DIP或塑料PDIP
工作温度范围:-55°C至+125°C
SN54S373的主要特性包括:
1. 高速运行能力,支持35ns的典型访问时间,适用于实时处理系统。
2. 采用CMOS技术,具备低功耗特点,在待机模式下可进一步降低功耗。
3. 支持全静态操作,无需刷新周期即可保持数据完整性。
4. 内部具有完整的地址解码逻辑,简化外部电路设计。
5. 具备三态输出功能,方便与其他数字电路集成。
6. 工业级温度范围使其适用于恶劣环境下的应用,例如军事、航天及工业控制领域。
SN54S373广泛应用于需要高效数据存储和访问的场景,例如:
1. 数据缓冲区和临时寄存器设计。
2. 嵌入式系统中的程序和数据存储。
3. 数字信号处理器(DSP)的辅助存储。
4. 工业自动化设备中的数据记录模块。
5. 测试与测量仪器中的数据采集部分。
6. 航空航天和国防领域的关键控制系统。
SN74S373, MC14S373