时间：2025/5/7 16:22:10
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SN105125DBVR 是一款基于 MOSFET 技术的高效能功率器件，主要用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。该芯片采用 TO-263 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而能够在高频工作条件下保持高效率与稳定性。
这款功率 MOSFET 具备增强型逻辑电平栅极驱动设计，使其能够直接与微控制器或 PWM 控制器连接而无需额外的电平转换电路。此外，SN105125DBVR 的耐压能力达到 100V，并且具备快速开关特性，非常适合要求高性能的工业和消费类电子应用。
型号：SN105125DBVR
封装：TO-263
最大漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：25A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V 至 4V
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻 (Rds(on))，有效减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频操作环境。
3. 增强型逻辑电平驱动兼容性，简化了与控制电路的接口设计。
4. 高电流承载能力，支持大功率负载需求。
5. 提供过温保护功能，增强系统的可靠性和安全性。
6. 工作温度范围宽广，适用于各种恶劣环境下的应用。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的主控或同步整流 MOSFET。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制开关。
4. LED 照明驱动中的电流调节开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费电子产品中的负载切换和保护电路。
IRFZ44N, FDP55N10, AO4402
