时间：2025/6/4 18:56:37
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SN1007026RHAR是一款高性能的功率MOSFET器件，采用N沟道增强型技术。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等领域。其设计优化了导通电阻和栅极电荷，能够有效降低功耗并提升效率。
该芯片封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能和较高的电流承载能力。同时，它还具有出色的雪崩击穿能力和短路耐受能力，从而提高了系统的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：25nC
反向恢复时间：60ns
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
1. 极低的导通电阻，可有效减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 具备高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常条件下的保护性能。
4. 短路耐受时间较长，确保系统在故障状态下仍能安全运行。
5. 高电流密度设计，支持大功率应用需求。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 各类DC-DC转换器的核心功率元件。
4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的功率管理单元。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP16N60C
