SMV1470-004 时间：2025/8/22 9:16:42 阅读：5

SMV1470-004 是一款由 Skyworks Solutions 公司生产的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），专为高频率和高性能射频（RF）应用设计。该器件采用增强型模式（Enhancement-mode），具备低噪声、高线性度和高增益的特性，适合用于无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）和混频器等前端电路。该晶体管采用 6 引脚 SOT-457 封装，具有良好的热稳定性和高频性能。

参数

类型：增强型场效应晶体管（E-FET）
　　工艺：GaAs（砷化镓）
　　封装类型：6 引脚 SOT-457
　　工作频率范围：DC 至 10 GHz
　　漏极电流（ID）：最大 100 mA
　　工作电压（Vdd）：3V 至 12V
　　噪声系数（NF）：典型值 0.45 dB @ 2 GHz
　　增益（Gps）：典型值 14 dB @ 2 GHz
　　输出功率（Pout）：典型值 10 dBm @ 2 GHz
　　输入和输出阻抗：50Ω（典型）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

SMV1470-004 是一款面向射频和微波应用的高性能 GaAs FET，具备出色的低噪声性能和高增益特性。该器件采用增强型工艺，能够在较低的栅极电压下工作，提高了设计的灵活性。其噪声系数在 2 GHz 频段下典型值为 0.45 dB，非常适合用于要求高灵敏度的接收链路前端放大器。此外，该晶体管具有良好的线性度表现，在高频率下仍能保持稳定的增益和输出功率，适用于 2G、3G、4G、Wi-Fi、WiMAX 以及无线基础设施中的低噪声放大和混频应用。SMV1470-004 的封装为 6 引脚 SOT-457，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在工业级温度范围内稳定运行。此外，该器件还具备良好的匹配性能，减少了外围电路的设计复杂度，提高了系统集成效率。
　　在电源电压方面，SMV1470-004 支持 3V 至 12V 的宽电压范围，使其在多种供电条件下均可稳定工作。其高增益特性（典型值 14 dB @ 2 GHz）和低噪声系数（0.45 dB）相结合，为设计者提供了优异的信号放大性能，尤其是在低信号强度环境中表现尤为出色。该器件的输入和输出阻抗接近 50Ω，便于与常见的射频系统进行匹配，减少额外的匹配网络需求，从而简化电路设计并降低成本。此外，SMV1470-004 在高频段（如 5 GHz 和 6 GHz）依然保持良好的增益和噪声性能，适合用于新一代无线通信系统和高频信号链设计。

应用

SMV1470-004 主要应用于射频和微波通信系统中的低噪声放大器（LNA）、混频器以及射频前端模块。其高增益、低噪声和良好的线性度使其特别适合用于蜂窝通信基站、Wi-Fi 接入点、WiMAX 设备、卫星通信系统、测试仪器以及各种高性能射频接收设备。该晶体管的宽电压范围和高稳定性也使其适用于便携式和工业级通信设备。