SMV1204-11 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流能力和良好的热稳定性,适用于电源管理和功率转换应用。SMV1204-11 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等场景。
类型:N 沟道
漏源电压(Vds):120V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):4A(连续)
导通电阻(Rds(on)):2.5Ω(典型值,Vgs=10V)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
功率耗散(Ptot):2.5W
SMV1204-11 是一款性能优异的功率 MOSFET,具备多项优良特性。首先,其导通电阻 Rds(on) 仅为 2.5Ω,这使得在导通状态下产生的功耗非常低,有助于提高电源系统的效率。此外,该器件的漏源电压为 120V,能够承受较高的电压应力,适用于多种中高压应用场合。SMV1204-11 支持最大 4A 的连续漏极电流,在高负载条件下依然能保持良好的稳定性。
该 MOSFET 采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的热传导性能,适合表面贴装工艺,便于在 PCB 上安装和散热管理。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,能够在极端温度环境下可靠工作,适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用。
此外,SMV1204-11 的栅极驱动电压为 10V,与常见的驱动电路兼容,易于集成到各种功率控制电路中。该器件具备良好的开关特性,能够实现快速开通和关断,减少开关损耗并提高整体系统的响应速度。
SMV1204-11 广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高效能、高可靠性的场景。例如,在 DC-DC 转换器中,SMV1204-11 可作为主开关器件,实现高效的电压转换;在电机驱动和负载开关电路中,该 MOSFET 可以作为功率开关,控制电机或负载的通断;此外,该器件也常用于电池管理系统(BMS)中,用于电池充放电控制和保护电路;在工业自动化和汽车电子中,SMV1204-11 可用于电源管理和负载控制,确保系统在复杂环境下的稳定运行。
STP4NK120Z-1, FQP12N10L, IRF540N