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SMV1147-079 发布时间 时间:2025/8/21 23:28:49 查看 阅读:14

SMV1147-079 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的射频(RF)电压可变衰减器(Voltage Variable Attenuator,VVA)。该器件专为需要精确控制射频信号强度的应用而设计,具有高线性度、低插入损耗和宽频率范围的特点,适用于通信系统、测试设备和雷达等高频应用领域。

参数

频率范围:0.5 GHz - 40 GHz
  插入损耗:典型值为 2.5 dB @ 20 GHz
  衰减范围:0 dB 至 20 dB(典型)
  衰减控制电压:0 V 至 15 V
  回波损耗:>15 dB @ 20 GHz
  P1dB 压缩点:>18 dBm @ 20 GHz
  封装形式:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C

特性

SMV1147-079 采用先进的 GaAs 工艺制造,具备优异的高频性能和稳定性。该器件的衰减量可通过外部控制电压进行连续调节,提供精确的信号电平控制能力。其低插入损耗和高线性度使其适用于高精度和高功率的 RF 系统。此外,该 VVA 在宽频率范围内(0.5 GHz 至 40 GHz)保持良好的性能一致性,适用于多种微波和毫米波应用。器件采用紧凑的表面贴装封装,便于集成到现代高频电路板中,并具有良好的热稳定性和机械可靠性。
  该器件还具备高隔离度和低反射特性,有助于减少系统中的信号干扰和失真。其高 P1dB 输出压缩点确保在高功率信号下的线性工作范围,适用于如测试测量仪器、通信基础设施、军事电子设备等对性能要求极高的场合。

应用

SMV1147-079 主要用于需要动态调整射频信号强度的高性能系统中。典型应用包括无线通信基础设施(如基站和中继器)、测试与测量设备(如频谱分析仪和信号发生器)、雷达和电子战系统、微波点对点链路、卫星通信设备以及工业控制系统。其宽频率范围和高线性度也使其适用于 5G 毫米波通信、汽车雷达和高性能无线局域网(WLAN)设备中的信号调节与控制。

替代型号

HMC625LP3E, PE4312, VVA-2133

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