类型：GaAs HEMT FET
　　频率范围：DC 至 6 GHz
　　输出功率：典型值 1.2 W（在 2 GHz）
　　增益：典型值 18 dB（在 2 GHz）
　　漏极电流（IDQ）：200 mA（典型值）
　　工作电压：+12 V 至 +15 V
　　封装类型：SOT-89
　　输入/输出阻抗：50 Ω（典型值）
　　线性度：优异的三阶交调失真（IMD3）性能

SMV1139-079 采用先进的 GaAs HEMT 技术，具备出色的射频性能和稳定性。其工作频率覆盖 DC 至 6 GHz，使其适用于多种射频和微波应用。该器件在 2 GHz 频率下可提供高达 1.2 W 的输出功率，并具有约 18 dB 的高增益，适用于中功率放大器设计。其漏极电流为 200 mA（典型值），工作电压范围为 +12 V 至 +15 V，便于电源设计和热管理。该器件采用 SOT-89 小型表面贴装封装，便于集成到高密度 PCB 设计中。
　　此外，SMV1139-079 在线性度方面表现出色，特别是在处理多载波信号时，能够提供优异的三阶交调失真（IMD3）性能，确保信号传输的清晰度和完整性。其输入和输出阻抗为 50 Ω（典型值），可直接与常见射频系统匹配，减少外部匹配网络的复杂度。该器件的工作温度范围宽，适用于工业级和军用级应用环境。

SMV1139-079 主要用于无线通信系统中的射频功率放大器设计，如蜂窝基站、Wi-Fi 接入点、WiMAX 设备等。此外，该器件也适用于测试和测量设备中的信号放大模块，如频谱分析仪、信号发生器等。由于其高可靠性和宽工作温度范围，该晶体管还可用于军事通信、雷达系统和航空航天等高性能要求的领域。在射频前端模块中，SMV1139-079 可作为驱动放大器或中功率放大器，提供高线性度和高效率的信号增强功能。

MRF6V2010N, CGH40010F, ATF-54143