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SMV1130-011LF 发布时间 时间:2025/8/22 6:52:08 查看 阅读:136

SMV1130-011LF 是 Skyworks Solutions 公司生产的一款 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET)射频(RF)放大器芯片,专为高频和宽带应用设计。该器件采用先进的 GaAs 技术制造,具有高增益、低噪声和出色的线性性能,适用于无线通信、卫星通信、测试设备和射频接收系统等领域。

参数

制造商: Skyworks Solutions
  类型: 射频放大器
  技术: GaAs FET
  频率范围: 50 MHz 至 6 GHz
  增益: 20 dB(典型值)
  噪声系数: 1.8 dB(典型值)
  输出功率(P1dB): 18 dBm
  电源电压: 5V
  工作温度范围: -40°C 至 +85°C
  封装类型: SOT-89
  阻抗: 50 欧姆

特性

SMV1130-011LF 射频放大器芯片具备宽带工作能力,覆盖从 50 MHz 到 6 GHz 的广泛频率范围,使其适用于多种射频前端应用。该器件采用 GaAs FET 技术,具有高线性度和低噪声系数(典型值为 1.8 dB),确保信号的高保真放大。
  此外,SMV1130-011LF 提供 20 dB 的典型增益,输出功率在 1 dB 压缩点(P1dB)下可达 18 dBm,适用于中等功率射频放大任务。其 5V 电源供电设计兼容常见的射频系统电源架构,便于集成。

应用

SMV1130-011LF 主要应用于无线基础设施设备,如基站接收器、中继器和无线接入点;卫星通信系统中的低噪声放大和中频放大模块;射频测试与测量设备,如频谱分析仪和信号发生器;以及各种射频接收链中的前置放大器或驱动放大器。

替代型号

HMC414LCB, ATF-54143, BGA2707, TQM3M7001

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SMV1130-011LF参数

  • 现有数量0现货18,000Factory
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 不同?Vr、F 时电容21.2pF @ 1V,1MHz
  • 电容比4.5
  • 电容比条件C1/C9
  • 电压 - 峰值反向(最大值)26 V
  • 二极管类型单路
  • 不同 Vr、F 时 Q 值-
  • 工作温度-55°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商器件封装SOD-323