类型：N沟道MOSFET
　　 漏源电压（Vds）：30V
　　 栅源电压（Vgs）：±20V
　　 连续漏极电流（Id）：12A
　　 功耗（Ptot）：45W
　　 工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　 存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　 封装类型：DPAK（TO-252）
　　 导通电阻（Rds(on)）：最大 15mΩ（在 Vgs=10V 时）

SMU315D 采用了 STMicroelectronics 的先进 STripFET? F7 技术，使其在导通状态下的功率损耗显著降低。该技术通过优化硅片结构和封装设计，实现了极低的 Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件具有较高的电流处理能力，在连续漏极电流下可达 12A，适用于中高功率应用。SMU315D 的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的 MOSFET 驱动器，便于集成到各种电路设计中。
　　 其 DPAK（TO-252）封装形式具有良好的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。该封装也便于在 PCB 上进行表面贴装，提高了生产效率和可靠性。
　　 SMU315D 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于宽温度范围的工业和汽车应用。其存储温度范围同样宽广，确保了在不同环境条件下的长期可靠性。该器件的高耐用性和稳定性使其成为电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用的理想选择。

SMU315D 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　 ? 电源管理：用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等，提高电源转换效率并减少能量损耗。
　　 ? 电池管理系统：用于电池充放电控制、保护电路和能量回收系统，确保电池的安全和高效运行。
　　 ? 工业自动化：用于电机驱动、继电器替代和高电流开关控制，提高系统的响应速度和可靠性。
　　 ? 汽车电子：用于车载电源系统、LED 照明驱动、电动助力转向系统等，满足汽车电子对高可靠性和高效率的需求。
　　 ? 通信设备：用于基站电源、路由器和交换机的电源模块，提供稳定的功率转换和高效的能量管理。

STL315D、SMU316L、IRF7413、FDMS86101、IPB015N03L