时间：2025/9/13 23:40:10
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SMTF6N90 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高电压和高功率应用，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于电源转换、电机控制和照明系统等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：900V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：1.65Ω（最大）
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
SMTF6N90 的主要特性之一是其高耐压能力，能够承受高达 900V 的漏源电压，使其适用于高压电源应用。此外，该器件的低导通电阻（Rds(on)）为 1.65Ω（最大），在高电流条件下能够有效减少导通损耗，提高系统效率。
该 MOSFET 具有良好的热稳定性，封装形式为 TO-220，有助于有效散热，延长器件的使用寿命。同时，SMTF6N90 的栅极驱动电压范围较宽，允许在 ±30V 范围内工作，提高了其在不同电路设计中的灵活性。
其开关性能优异，具有快速的开启和关闭时间，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。此外，SMTF6N90 具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在恶劣的电气环境中稳定运行，提高了系统的可靠性。
这款器件的封装设计也便于安装和散热管理，适用于多种工业和消费类电子设备的应用场景。
SMTF6N90 广泛应用于多种高电压和高功率场景，包括但不限于电源供应器、开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制电路以及 LED 照明系统。其高耐压特性使其特别适合用于需要高电压隔离和稳定性的电源转换设备中。
在工业自动化和控制系统中，SMTF6N90 可用于驱动继电器、接触器和小型电机，提供高效的功率控制。此外，它也常用于家用电器中的功率控制模块，例如空调、洗衣机和微波炉等设备的电源管理部分。
由于其优异的开关性能，SMTF6N90 也可用于高频逆变器和电子镇流器中，实现高效的能量转换。总之，该器件适用于需要高压、高可靠性和高效率的各类电子系统。
FQP6N90C, IRF840, STF6N90K5, 2SK2545
