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SMT4214G 发布时间 时间:2025/8/12 19:03:37 查看 阅读:12

SMT4214G 是一款由 Sanken(三健电子)生产的 N 沟道功率 MOSFET,适用于高频率开关应用。该器件封装在 TO-252(DPAK)封装中,具备较低的导通电阻和良好的热性能,适合用于电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。SMT4214G 以其高效率和稳定性在工业和汽车电子中广泛应用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压 Vds:20V
  栅源电压 Vgs:±12V
  漏极电流 Id:8A
  导通电阻 Rds(on):0.024Ω @ Vgs=10V
  功耗(Pd):40W
  封装:TO-252(DPAK)

特性

SMT4214G 的核心优势在于其低导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流条件下能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。
  此外,该器件支持高达 8A 的漏极电流,使其适用于中高功率应用。TO-252(DPAK)封装不仅提供了良好的散热性能,还便于在 PCB 上安装和焊接。
  该 MOSFET 具有较快的开关速度,适用于高频开关电路,例如同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关。同时,其最大栅源电压为 ±12V,设计人员在使用时需注意控制驱动电压,以避免栅极击穿。
  SMT4214G 还具有良好的热稳定性和过温保护能力,确保在高负荷运行时的可靠性。其低门极电荷(Qg)也进一步降低了驱动损耗,有助于提升系统能效。
  此外,SMT4214G 在汽车电子系统中表现出色,符合 AEC-Q101 汽车级认证,适用于车载充电器、电池管理系统(BMS)以及车载电机控制等应用。

应用

SMT4214G 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及汽车电子系统中的功率控制模块。该器件特别适合需要高效率、小尺寸和良好热性能的设计场合,例如便携式设备电源、工业控制模块以及汽车电子控制系统。

替代型号

Si4410BDY-T1-E3, IRF7413TRPBF, FDS6680, AO4406A

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