类型：GaAs 肖特基二极管
　　频率范围：DC - 40 GHz
　　正向电压（IF=1 mA）：约 0.3 V
　　反向击穿电压：≥7 V
　　串联电阻：≤ 6 Ω
　　零偏置电容（at 1 MHz）：0.15 pF
　　封装类型：SOD-323（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

SMS7630-075LF 是一款高性能的 GaAs 肖特基二极管，具备多项优异的电气和物理特性。首先，该器件的频率响应范围非常宽广，能够覆盖从 DC 到 40 GHz 的频段，使其非常适合用于高频和微波电路设计。在射频检波、混频和倍频等应用中，高频响应能力是至关重要的，而 SMS7630-075LF 的这一特性使其在通信系统、测试仪器和雷达设备中具有广泛的应用前景。
　　其次，该二极管具有较低的正向电压降，在 1 mA 的正向电流下约为 0.3 V，这有助于降低功耗并提高电路效率。同时，其反向击穿电压超过 7 V，确保了在高压环境下仍能稳定工作。此外，SMS7630-075LF 的串联电阻非常低（≤6 Ω），有助于减少信号损失和热效应，提高器件在高频下的性能表现。
　　另一个显著的特性是其极低的零偏置电容（约 0.15 pF），这使得该器件在射频信号处理中表现出色，尤其是在需要最小电容干扰的应用中。SMS7630-075LF 采用 SOD-323 封装，体积小巧且便于表面贴装，适用于自动化生产和紧凑型电路设计。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，满足工业级和汽车电子应用的严苛环境要求。
　　综上所述，SMS7630-075LF 凭借其宽频率响应、低正向电压、低串联电阻和小电容等特性，成为射频和微波应用中的理想选择。无论是在无线通信、测试测量设备还是航空航天系统中，该器件都能提供可靠和高效的性能。

SMS7630-075LF 主要应用于高频和微波电子系统，包括射频检波器、混频器、调制器、频率倍增器和开关电路。它在无线通信基础设施中被广泛用于射频信号处理和功率控制，例如在蜂窝基站、卫星通信系统和微波链路中。此外，该器件也常用于测试与测量设备，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪，用于高频信号的检测和处理。在工业控制和汽车电子领域，SMS7630-075LF 可用于射频识别（RFID）、雷达系统和无线传感器网络中的高频信号处理模块。

SMS7630-060LF, SMS7630-090LF, HSMS-2860, HSMS-285C, BAT14-099W