类型：肖特基二极管
　　频率范围：DC ~ 26.5 GHz
　　封装类型：表面贴装
　　最大反向电压：50 V
　　最大正向电流：100 mA
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　阻抗：50Ω
　　功率处理能力：2 W
　　失配驻波比（VSWR）：<1.3:1

SMS7621-079LF 肖特基二极管具备一系列高性能特性，使其在射频和微波应用中表现出色。首先，该器件的工作频率范围非常宽广，覆盖了从直流到26.5 GHz的频段，适合用于高频率信号的开关控制。其宽频特性使其能够适应多种无线通信标准和协议，如Wi-Fi、WiMAX、LTE和5G等。
　　其次，该肖特基二极管的最大反向电压为50 V，能够在较高电压下稳定工作，提高了器件的可靠性和耐用性。同时，其最大正向电流为100 mA，适用于中等功率的射频应用。
　　SMS7621-079LF 采用表面贴装封装（SMD），简化了电路板的设计和制造过程，提高了生产效率。此外，该封装形式还具有良好的热稳定性和机械强度，有助于提高器件在恶劣环境下的性能表现。
　　该器件的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，确保了其在极端温度条件下的稳定运行。存储温度范围同样宽广，从-65°C到+150°C，便于在不同环境条件下进行存储和运输。
　　在射频性能方面，SMS7621-079LF 的驻波比（VSWR）小于1.3:1，表明其具有良好的阻抗匹配特性，减少了信号反射和损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的功率处理能力为2 W，适用于中等功率级别的射频开关应用。
　　最后，SMS7621-079LF 符合 RoHS 标准，采用无铅封装，符合现代电子制造对环保和可持续发展的要求。

SMS7621-079LF 肖特基二极管广泛应用于射频和微波系统中，特别是在需要高频开关控制的场景。它常用于无线通信基础设施，如基站、天线调谐系统和射频前端模块。此外，该器件也适用于测试和测量设备，如矢量网络分析仪、频谱分析仪和信号发生器，以实现高精度的射频信号测量和控制。
　　在航空航天和国防领域，SMS7621-079LF 可用于雷达系统、电子战设备和卫星通信系统，确保在高频率和复杂环境下的可靠运行。在工业自动化和物联网（IoT）应用中，该肖特基二极管可用于射频识别（RFID）读写器、无线传感器网络和远程监控系统。
　　由于其良好的高频性能和低失真特性，SMS7621-079LF 也适用于高速数据通信系统，如光通信、光纤网络和高速无线传输设备。此外，在消费类电子产品中，如高端无线路由器、智能家居设备和可穿戴设备中，该器件也可用于优化射频信号传输和接收性能。

HMC190MS8C Hittite Microwave Corporation
　　SMS7630-079LF Skyworks Solutions
　　BAR64-03V G4 E6327 Infineon Technologies
　　MA4E1317-1068TR1G1 Macom Technology Solutions
　　HSMS-285C-TR1G1 Avago Technologies