类型：N沟道MOSFET
　　封装/包：SOT-23
　　漏源电压（VDS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：2.3A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（IDM）：6.9A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=4.5V；45mΩ @ VGS=2.5V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：0.4V ~ 1.0V
　　栅极电荷（Qg）：5.7nC @ VDS=10V
　　输入电容（Ciss）：400pF @ VDS=10V
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　功率耗散（Pd）：850mW

SMS2301-C采用高性能的沟槽栅硅技术，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低功耗并提高系统效率。其典型的RDS(on)仅为35mΩ（在VGS=4.5V条件下），意味着在2A负载电流下，导通压降仅约为70mV，相应的导通损耗为140mW，远低于传统MOSFET，有助于提升电池供电设备的续航能力。同时，该器件拥有较低的栅极电荷（Qg=5.7nC），这意味着在高频开关应用中，如同步整流或DC-DC buck变换器中，可以减少驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，从而进一步提升整体转换效率。
　　该MOSFET的阈值电压范围为0.4V至1.0V，属于超低阈值类型，使其非常适合用于3.3V甚至更低电压逻辑信号直接驱动的应用场景，例如单片机GPIO口控制小功率负载。这种低VGS(th)特性确保了即使在输入电压略有下降的情况下，器件仍能可靠导通，增强了系统的鲁棒性。此外，SMS2301-C具有良好的热稳定性与过载承受能力，内部结构经过优化设计，可有效分散热量，防止局部热点形成，延长器件使用寿命。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具备较好的散热性能，配合合理的PCB铜箔设计可实现有效的热传导。该器件还具备出色的抗瞬态脉冲能力，最大脉冲漏极电流可达6.9A，适用于短时高峰值电流的工作条件，比如电机启动或电容充电过程中的浪涌电流抑制。综合来看，SMS2301-C以其小尺寸、高效率、强驱动能力和高可靠性，成为众多中小功率开关应用的理想选择。

SMS2301-C广泛应用于各类便携式电子设备中的电源开关与负载管理模块，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等产品中的背光控制、传感器供电使能、外设电源切换等功能。它也常用于DC-DC降压转换器的同步整流部分，以替代传统的肖特基二极管，从而大幅提高转换效率，减少发热。此外，在电机驱动电路中，该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机的相位控制，尤其适用于玩具、微型风扇、摄像头调焦机构等低电压、小功率电机应用场景。
　　在工业控制领域，SMS2301-C可用于PLC模块中的信号切换、继电器驱动缓冲级或LED指示灯驱动电路。其低导通电阻和快速响应特性使其适合作为高端或低端开关使用。在通信设备中，该器件可用于接口保护电路或热插拔控制，提供可靠的通断控制和电流限制功能。由于其符合RoHS标准且支持无铅焊接工艺，因此也广泛应用于绿色电子产品和自动化贴片生产线中，满足现代电子制造对环保和自动化的要求。

AO3400, AOD3400, FDN340P, SI2301, DMG2301