SMR-02V-N是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率和快速开关的应用场景。该芯片采用了先进的封装工艺,能够显著降低导通损耗和开关损耗,同时具备出色的热性能和可靠性。
SMR-02V-N的设计目标是满足现代电力电子设备对高效率、小体积和高性能的需求,其工作电压范围宽泛,能够在高频率下保持稳定的性能表现。
型号:SMR-02V-N
类型:GaN 功率开关
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):120mΩ
最大输出电流(Id):8A
功耗(Ptot):20W
结温范围(Tj):-40℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247-3
SMR-02V-N的主要特性包括以下几点:
1. 高效的氮化镓技术,具有极低的导通电阻和开关损耗。
2. 支持高达3MHz的工作频率,适用于高频应用场合。
3. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,提升系统可靠性。
4. 优秀的热性能,可有效降低芯片温度,延长使用寿命。
5. 小型化设计,适合空间受限的应用环境。
6. 宽电压范围支持,适应多种电源架构需求。
这些特性使SMR-02V-N成为高性能电源转换和功率管理的理想选择。
SMR-02V-N广泛应用于以下领域:
1. 高频开关电源适配器及充电器。
2. DC-DC转换器模块,特别是在服务器、通信设备等高密度应用场景中。
3. 太阳能微型逆变器,用于光伏能源系统的高效能量转换。
4. 汽车电子系统中的DC-DC变换器,例如电动车电池管理系统。
5. 工业自动化设备中的高效电源解决方案。
凭借其卓越的性能和可靠性,SMR-02V-N在各类高效率、小体积的应用中展现出强大的竞争力。
SMR-02V-P, SMR-03V-N