时间：2025/11/13 16:06:00
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SMP6773G-FA-B3是一款由Silicon Mitus（硅谷微电子）推出的高性能同步降压DC-DC转换器芯片，专为便携式设备和高效率电源管理应用设计。该器件采用恒定导通时间（COT）控制架构，能够在宽输入电压范围内实现快速瞬态响应和优异的负载调整率。SMP6773G-FA-B3集成了高压侧和低压侧MOSFET，提供高达3A的持续输出电流能力，适用于多种低电压、高效率供电场景。
该芯片工作输入电压范围为4.5V至18V，支持可调输出电压模式，最低可调节至0.6V，典型开关频率为550kHz，允许使用小型电感和陶瓷电容，从而减小整体解决方案尺寸。其封装形式为DFN-10L（3mm×3mm），具备良好的热性能和空间利用率，适合在空间受限的应用中部署。
SMP6773G-FA-B3内置多种保护机制，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）以及输出短路保护，确保系统在异常条件下安全运行。此外，芯片支持轻载高效PFM模式与正常负载下的PWM模式自动切换，显著提升全负载范围内的能效表现。
型号：SMP6773G-FA-B3
品牌：Silicon Mitus
封装：DFN-10L (3x3)
工作输入电压范围：4.5V ~ 18V
输出电压范围：0.6V ~ 90% VIN
最大输出电流：3A
基准电压精度：±1%
开关频率：550kHz（典型值）
控制模式：COT（恒定导通时间）
静态电流：30μA（典型值）
关断电流：1μA（最大值）
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
集成MOSFET：是（上下管均集成）
占空比：最大90%
SMP6773G-FA-B3采用恒定导通时间（COT）控制拓扑，具备极快的瞬态响应能力，能够有效应对负载突变带来的电压波动，无需外部补偿网络即可保持环路稳定性，简化了设计流程并减少了外围元件数量。该控制方式通过监测输出电压纹波来决定导通时间，结合内部高精度比较器和延迟电路，实现精确的占空比调节，从而在动态负载下维持稳定的输出电压。
芯片内部集成了低RDS(on)的P沟道高压侧MOSFET和N沟道低压侧MOSFET，不仅提高了功率转换效率，还避免了外置MOSFET所需的设计复杂性与PCB面积占用。这种集成方案配合优化的栅极驱动电路，在满载条件下仍能保持高效率，特别是在中等输入电压（如12V转3.3V或5V）时表现出色，峰值效率可达95%以上。
为了适应不同应用场景的能效需求，SMP6773G-FA-B3支持自动模式切换功能：在重载时运行于固定频率PWM模式以保证稳定输出；在轻载或待机状态下自动转入PFM（脉冲频率调制）模式，大幅降低开关损耗和静态功耗，延长电池供电设备的工作时间。
该器件具备完善的保护机制。当输出发生短路或过流情况时，内部逐周期电流限制功能会立即动作，防止损坏芯片及后级电路；同时，内置的热关断电路会在结温超过安全阈值（通常约150°C）时关闭输出，待温度恢复后再自动重启。此外，欠压锁定（UVLO）功能确保只有在输入电压达到可靠工作水平后才启动芯片，避免启动过程中的不稳定状态。
DFN-10L小型化封装不仅节省PCB空间，还通过底部散热焊盘有效传导热量，配合合理的PCB布局可实现良好的散热性能。整体设计兼顾高性能、高集成度与可靠性，非常适合对体积和效率有严格要求的应用场合。
SMP6773G-FA-B3广泛应用于各类需要高效、紧凑型电源解决方案的电子产品中。典型应用包括工业自动化控制系统中的传感器供电模块、嵌入式处理器核心电压（Core VR）供电、FPGA或ASIC的辅助电源轨、网络通信设备的板载电源系统等。
在消费类电子产品领域，该芯片常用于平板电脑、智能显示器、机顶盒、家用路由器以及智能家居控制面板的直流电源转换环节。由于其宽输入电压范围，特别适合由12V适配器供电的设备进行本地降压稳压。
此外，SMP6773G-FA-B3也适用于车载信息娱乐系统中的非电池直接供电部分，例如从12V车载总线转换为MCU、音频编解码器或其他数字逻辑电路所需的3.3V或5V电源，其较高的输入耐压能力和温度适应性满足汽车电子的部分严苛环境要求。
在工业与通信设备中，它可用于为PoE（Power over Ethernet）受电设备提供中间电压转换，或者作为多路电源系统中的主降压通道。得益于其高效率和低静态电流特性，该芯片也非常适合用于待机电源或始终在线的低功耗监控模块。
总体而言，凡是对电源效率、体积、响应速度和可靠性有一定要求的中等功率DC-DC转换场景，SMP6773G-FA-B3均是一个极具竞争力的选择。
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"SMP6773",
"MT3608",
"AP63203",
"RT6150"
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