SMP212SRI 时间：2025/8/7 14:37:45 阅读：16

SMP212SRI 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽栅极技术和优化的硅工艺设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的热性能。该器件主要用于电源管理和功率转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关等。SMP212SRI 采用紧凑的表面贴装封装（例如 DFN5x6 或类似的封装形式），适合现代电子设备中对空间要求严格的设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大漏极电流（ID）：12 A（在 25°C 下）
　　导通电阻 RDS(on)：最大 12 mΩ（在 VGS = 4.5 V 时）
　　栅极电荷 Qg：约 17 nC
　　最大工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN5x6（5mm x 6mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

SMP212SRI 的核心优势在于其非常低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽栅极技术，显著降低了 RDS(on)，从而减少了在导通状态下的功耗，适用于高频率开关应用。此外，其低栅极电荷（Qg）也提升了开关速度，减少了开关损耗，使其非常适合用于高频 DC-DC 转换器和负载开关等应用。
　　该 MOSFET 具有良好的热性能，封装设计优化了散热路径，提高了在高电流负载下的可靠性。其小型封装形式不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中使用。SMP212SRI 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，在 2.5V 至 10V 之间均可正常工作，适用于多种控制电路和逻辑电平驱动方案，增强了其在不同应用中的适应性。

应用

SMP212SRI 主要用于需要高效率和高性能的功率管理电路中。典型应用包括便携式设备中的电池管理系统、同步整流器、负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、电机驱动电路以及工业控制系统的电源模块。此外，它还可用于电源管理单元（PMU）、LED 照明驱动电路以及电源适配器等应用中。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，SMP212SRI 特别适用于需要高效能和小型化设计的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各种类型的智能穿戴设备。在这些应用中，SMP212SRI 可以有效减少能量损耗，延长电池续航时间，并提高整体系统的稳定性。