SMP210BN1 时间：2025/8/6 13:32:23 阅读：13

SMP210BN1 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电源管理系统等多种应用。SMP210BN1 采用紧凑的封装形式，有助于节省PCB空间并提升系统集成度。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：130mΩ（典型值）
　　功耗（Ptot）：45W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220

特性

SMP210BN1 MOSFET具有多项显著特性，能够满足多种电源管理需求。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中具有较低的导通损耗，从而提高了整体效率并降低了发热。其次，该器件支持高达10A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。其100V的漏源电压能力也使其能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电压转换拓扑结构，如Buck、Boost和Flyback转换器。
　　此外，SMP210BN1采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优异的开关性能，降低了开关损耗，从而支持高频操作，提高了系统响应速度和效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至10V），兼容多种常见的驱动器IC，简化了设计流程。
　　在热管理方面，SMP210BN1的TO-220封装具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至PCB或散热片，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至175°C，适合在工业级温度环境下使用，具备良好的环境适应性和可靠性。
　　该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发电压或负载变化情况下提供一定的保护，延长器件寿命并提高系统稳定性。

应用

SMP210BN1广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用场景包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统、工业自动化设备、照明控制电路以及消费类电子产品中的电源模块。由于其高效率和良好的热管理性能，该MOSFET也常用于需要长时间高负载运行的工业设备和嵌入式系统中。