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SMP100MC-320 发布时间 时间:2025/7/23 2:06:48 查看 阅读:12

SMP100MC-320 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率电源管理应用,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力。SMP100MC-320 采用先进的沟槽式MOSFET技术,能够在高频率下工作,适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):80A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(最大值)
  功率耗散(Ptot):200W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6

特性

SMP100MC-320 具有多个关键特性,使其适用于高性能电源管理系统。
  首先,该MOSFET具有极低的导通电阻(Rds(on)),典型值为4.5mΩ,这有助于减少导通损耗,提高系统效率。在高电流应用中,这种低Rds(on)可以显著降低功耗并减少发热。
  其次,SMP100MC-320 支持高达80A的连续漏极电流,使其能够应对高功率负载的需求。其高电流能力结合低Rds(on),使得该器件适用于需要高效能开关的场合,例如同步整流、电机驱动和电源转换器。
  此外,该MOSFET采用先进的沟槽式结构技术,优化了开关性能,降低了开关损耗,使其能够在高频条件下稳定运行。这对于现代电源系统中的高频率开关拓扑(如Boost、Buck转换器)尤为重要。
  该器件的封装形式为PowerFLAT 5x6,这种封装具备良好的热管理和电气性能,有助于在紧凑的PCB布局中实现高效的散热。同时,SMP100MC-320 的工作温度范围为-55°C至175°C,确保其在极端环境条件下仍能可靠运行。
  最后,该MOSFET的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(如5V或10V驱动),方便与各类控制电路(如微控制器、驱动IC)配合使用,提高了设计的灵活性。

应用

SMP100MC-320 适用于多种高功率和高效率电子系统。
  在DC-DC转换器中,该MOSFET作为主开关元件,能够实现高效率的能量转换,广泛应用于服务器电源、通信设备电源和车载电源系统中。
  在电机控制系统中,SMP100MC-320 可用于H桥驱动电路,提供高效的电机控制功能,适用于工业自动化设备和机器人控制系统。
  此外,该MOSFET也适用于电池管理系统(BMS),用于电池充放电控制,确保电池组的安全高效运行。
  在LED照明系统中,SMP100MC-320 可用于高亮度LED驱动电路,提供稳定的电流控制和高能效转换。
  在消费类电子产品中,如高端笔记本电脑、游戏主机和电源适配器中,该MOSFET可用于电源管理模块,提高整机的能效表现。

替代型号

STL100N10F7, IPW90R120C3, SMP100N10C3

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SMP100MC-320参数

  • 标准包装1
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列TRISIL™
  • 电压 - 反向隔离(标准值)290V
  • 电压 - 击穿320V
  • 功率(瓦特)-
  • 电极标记双向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商设备封装SMB
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称497-4999-6