SMP100MC-320 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率电源管理应用,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力。SMP100MC-320 采用先进的沟槽式MOSFET技术,能够在高频率下工作,适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(最大值)
功率耗散(Ptot):200W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:PowerFLAT 5x6
SMP100MC-320 具有多个关键特性,使其适用于高性能电源管理系统。
首先,该MOSFET具有极低的导通电阻(Rds(on)),典型值为4.5mΩ,这有助于减少导通损耗,提高系统效率。在高电流应用中,这种低Rds(on)可以显著降低功耗并减少发热。
其次,SMP100MC-320 支持高达80A的连续漏极电流,使其能够应对高功率负载的需求。其高电流能力结合低Rds(on),使得该器件适用于需要高效能开关的场合,例如同步整流、电机驱动和电源转换器。
此外,该MOSFET采用先进的沟槽式结构技术,优化了开关性能,降低了开关损耗,使其能够在高频条件下稳定运行。这对于现代电源系统中的高频率开关拓扑(如Boost、Buck转换器)尤为重要。
该器件的封装形式为PowerFLAT 5x6,这种封装具备良好的热管理和电气性能,有助于在紧凑的PCB布局中实现高效的散热。同时,SMP100MC-320 的工作温度范围为-55°C至175°C,确保其在极端环境条件下仍能可靠运行。
最后,该MOSFET的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(如5V或10V驱动),方便与各类控制电路(如微控制器、驱动IC)配合使用,提高了设计的灵活性。
SMP100MC-320 适用于多种高功率和高效率电子系统。
在DC-DC转换器中,该MOSFET作为主开关元件,能够实现高效率的能量转换,广泛应用于服务器电源、通信设备电源和车载电源系统中。
在电机控制系统中,SMP100MC-320 可用于H桥驱动电路,提供高效的电机控制功能,适用于工业自动化设备和机器人控制系统。
此外,该MOSFET也适用于电池管理系统(BMS),用于电池充放电控制,确保电池组的安全高效运行。
在LED照明系统中,SMP100MC-320 可用于高亮度LED驱动电路,提供稳定的电流控制和高能效转换。
在消费类电子产品中,如高端笔记本电脑、游戏主机和电源适配器中,该MOSFET可用于电源管理模块,提高整机的能效表现。
STL100N10F7, IPW90R120C3, SMP100N10C3