类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　连续漏极电流(Id)：20A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大70mΩ
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散(Pd)：125W

SMP100200是一款高性能的N沟道MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，确保在高电流应用中能够最大限度地减少功率损耗和热量产生。其100V的漏源电压和20A的连续漏极电流能力，使其适用于各种中高功率应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和电池管理系统等。该器件的TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　此外，SMP100200具备优异的热稳定性和抗冲击能力，能够在恶劣的工业和汽车环境下可靠工作。其栅极阈值电压范围为2V至4V，使其兼容多种控制电路，包括微控制器和PWM控制器。SMP100200的设计优化了开关性能，降低了开关损耗，提高了系统整体效率。同时，该器件还具备较强的短路耐受能力，增强了系统的稳定性和安全性。

SMP100200广泛应用于多种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。其优异的性能也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等。

STP55NF06, IRFZ44N, FDP3370, SMP100200的替代型号可根据具体应用需求选择具有相近电压、电流和导通电阻特性的MOSFET器件。