时间：2024/8/22 15:04:31
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该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻器偏置网络。偏置电阻器晶体管（BRT）包含一个晶体管，该晶体管具有由两个电阻器组成的单片偏置网络；串联基极电阻器和基极-发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中来消除它们。使用快速公交系统可以降低系统成本和电路板空间。
简化电路设计
减少电路板空间
减少组件数量
S和NSV前缀，适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用；AEC-Q101合格，PPAP能力
这些设备不含铅、无卤素/BFR，符合RoHSC标准
无卤素状态：Halogen Free
极性：NPN
耗散功率：400 mW
击穿电压(集电极-发射极)：50 V
集电极最大允许电流：100mA
最小电流放大倍数(hFE)：160 5mA,10V
额定功率(Max)：246 mW
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：400 mW
安装方式：Surface Mount
引脚数：3
封装：SOT-23-3
长度：3.04 mm
宽度：1.4 mm
高度：1.01 mm
封装：SOT-23-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tape&Reel(TR)
