SMM665BFT-887L 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的射频(RF)晶体管,采用 GaAs(砷化镓)材料制造,适用于高频、高功率的射频应用。该器件设计用于功率放大器和其他射频电路,具有良好的线性度和高效率。SMM665BFT-887L 采用 SOT-89 封装形式,适合在通信设备、工业控制系统以及测试仪器中使用。
类型:射频晶体管
材料:GaAs
封装类型:SOT-89
最大频率:2.5GHz
最大功率输出:2W
增益:18dB(典型值)
工作电压:+5V 至 +12V
静态电流:100mA(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
热阻:30°C/W
SMM665BFT-887L 具有多个显著的性能特点。首先,它采用 GaAs 材料制造,使其在高频范围内表现出色,适用于 2.5GHz 以下的射频应用。其高增益特性(典型值为 18dB)使得该晶体管非常适合用作功率放大器,从而减少外部元件的需求并简化电路设计。
此外,该晶体管具有较高的线性度,这在通信系统中尤为重要,因为它有助于减少信号失真并提高整体系统性能。SMM665BFT-887L 的输出功率可达 2W,适合需要高功率输出的应用,如无线基站、射频测试设备和工业控制系统。
该器件的工作电压范围较宽,支持从 +5V 到 +12V 的供电,增加了其在不同电路设计中的灵活性。静态电流为 100mA,确保了较低的功耗和较高的效率。SMM665BFT-887L 的热阻为 30°C/W,具有良好的热稳定性,能够在较高的环境温度下可靠工作。
封装方面,SMM665BFT-887L 采用 SOT-89 封装形式,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。这种封装方式也提供了良好的散热性能,确保器件在高功率工作状态下仍能保持稳定。
SMM665BFT-887L 主要用于射频功率放大器的设计,广泛应用于无线通信系统、基站设备、射频测试仪器和工业控制系统中。其高线性度和高效能使其成为需要高保真信号放大的理想选择。此外,该晶体管也适用于各种射频发射机和接收机模块,能够提供稳定的功率输出,确保信号传输的可靠性。
由于其工作频率可达 2.5GHz,SMM665BFT-887L 特别适合用于 Wi-Fi、WiMAX、蜂窝通信(如 GSM、CDMA、WCDMA)等无线通信标准的射频前端模块。同时,其宽电压工作范围和低功耗设计也使其适用于电池供电设备和便携式射频系统。
SMM665BFT-887L 的替代型号包括 SMM665BFT-887、SMM665BFT 和 SMM665BFT-887E。这些型号在电气性能和封装上非常相似,可根据具体需求进行选择。