SMM665BF-08 时间：2025/12/28 15:26:14 阅读：11

SMM665BF-08是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-26封装。该器件专为高效率、低电压应用设计，适用于负载开关、电源管理和电池供电设备等领域。SMM665BF-08集成了两个独立的MOSFET通道，能够在低栅极电压下工作，适合由低压微控制器或数字电路直接驱动。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　连续漏极电流(Id)：500mA（每个通道）
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　导通电阻(Rds(on))：2.8Ω（最大值，Vgs=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-26
　　功率耗散：300mW
　　输入电容(Ciss)：16pF（典型值，Vds=10V）

特性

SMM665BF-08具备多个关键特性，使其适用于现代电子系统。其双N沟道MOSFET结构允许用户在单个封装中实现两个独立的开关控制通道，从而节省PCB空间并减少组件数量。该器件支持低栅极电压驱动，能够在Vgs为2.5V至4.5V的范围内正常工作，非常适合与低压逻辑电路直接接口。
　　此外，SMM665BF-08的Rds(on)较低，在Vgs=4.5V时最大为2.8Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该MOSFET的SOT-26封装具有良好的热性能，能够在有限的空间内有效散热。其高集成度和紧凑设计使其成为便携式电子产品、负载开关、DC-DC转换器、电源管理模块以及电池供电设备的理想选择。
　　该器件还具备良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高温环境下可靠运行。其静电放电（ESD）保护能力较强，有助于提高系统的可靠性和耐用性。SMM665BF-08符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺。

应用

SMM665BF-08广泛应用于多种低电压、高效能的电子系统中。例如，它可用于便携式设备中的负载开关，实现对不同模块的独立电源控制，从而延长电池寿命。在电源管理系统中，SMM665BF-08可用于多个电源之间的切换或用于控制不同电压域的供电状态。
　　此外，该器件适用于DC-DC转换器电路，可用于实现高效的电压调节和能量转换。由于其低导通电阻和良好的热性能，SMM665BF-08也可用于LED驱动电路、电机控制电路以及各种逻辑控制开关电路。
　　在电池供电设备中，SMM665BF-08可以作为高侧或低侧开关，用于管理电池的充放电过程或隔离不同的负载模块。它还适用于USB电源管理、智能卡读写器、无线传感器网络节点以及其他低功耗嵌入式系统。