SMM6037R2 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于电源管理和功率转换应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和大电流承载能力,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等场景。SMM6037R2 采用表面贴装的 PowerFLAT 封装,具有良好的热性能和空间节省优势。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):60 V
栅源电压(Vgs):±20 V
连续漏极电流(Id):160 A(在 Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大 2.7 mΩ(在 Vgs=10V)
功率耗散:200 W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装:PowerFLAT 5x6
SMM6037R2 的核心优势在于其卓越的导通性能和高可靠性。其低 Rds(on) 值显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件采用了先进的沟槽栅技术,使得其在高电流下依然保持稳定的性能。
该 MOSFET 具有优异的热管理能力,得益于其封装设计和低热阻特性,能够有效散热并保持在高负载条件下的稳定性。SMM6037R2 还具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。
器件的栅极驱动电压范围较宽,支持 4.5V 至 20V 的工作电压,适用于多种驱动电路设计。SMM6037R2 的开关速度快,能够有效减少开关损耗,适用于高频开关应用。
此外,该 MOSFET 符合 RoHS 环保标准,无铅封装,适用于环保要求较高的电子设备。
SMM6037R2 广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于:
1. DC-DC 转换器:用于服务器电源、通信设备和工业电源中的高效率升压或降压变换。
2. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车、储能系统和便携式设备中的充放电控制。
3. 电机驱动和逆变器:用于电动工具、家电和工业自动化设备中的功率控制。
4. 负载开关:用于电源管理模块中实现负载的快速通断控制。
5. 太阳能逆变器和储能系统:用于能量转换和分配环节,提升整体系统效率。
IPB013N06N、IRF1324S-7PPBF、FDP160N06AL