类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：17.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：19mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容（Ciss）：410pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：9ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：TUMT (S-Mini3)
　　功率耗散（Pd）：1W

SML512BC5TT86采用ROHM专有的沟槽结构硅技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其19mΩ的低RDS(on)在4.5V栅压下显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于电池供电设备中的高效能量转换。器件的阈值电压较低，典型值约为0.8V，使其能够在低电压逻辑信号（如1.8V或3.3V MCU输出）直接驱动下可靠开启，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，得益于TUMT封装的优化散热设计，即使在高电流负载下也能有效传导热量至PCB，从而避免局部过热导致的性能下降或可靠性问题。输入电容仅为410pF，配合较低的栅极电荷（Qg），大幅减少了驱动所需的能量，提升了高频开关应用中的效率表现。同时，较短的反向恢复时间（9ns）意味着体二极管在同步整流等应用中具备更优的开关行为，减少了交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。
　　从可靠性角度看，SML512BC5TT86通过了AEC-Q101车规级认证，表明其在极端环境条件下的耐久性和稳定性达到汽车电子标准，因此不仅可用于消费电子，还可拓展至车载信息娱乐系统或辅助电源模块等领域。器件还具备优良的雪崩能量耐受能力和抗静电（ESD）保护能力，增强了在瞬态工况下的鲁棒性。总体而言，这款MOSFET在小型化、高效能与高可靠性之间取得了良好平衡，是现代高密度电源设计的理想选择之一。

SML512BC5TT86广泛应用于需要高效率和小尺寸封装的便携式电子设备中。常见用途包括移动设备中的DC-DC降压变换器，作为同步整流开关或负载开关使用，以提升电源转换效率并延长电池续航时间。在锂电池管理系统中，它可用于充放电路径的控制与保护电路，凭借其低导通电阻减少发热，提高系统安全性。此外，该器件也适用于各类负载开关电路，例如用于摄像头模组、显示屏背光或无线通信模块的上电时序控制，能够快速响应使能信号，实现精确的电源域管理。
　　在工业与物联网领域，SML512BC5TT86可用于传感器供电控制、低功耗微控制器外围电源切换以及小型电机驱动电路中的低端开关。其高电流承载能力（4.4A连续电流）使其可以胜任多数中等功率应用场景。在汽车电子方面，尽管其20V耐压限制了高压应用，但在12V系统中的辅助电源、LED照明驱动或车载摄像头供电模块中依然有广泛应用潜力。此外，由于其符合AEC-Q101标准，具备较高的环境适应性，可在宽温范围内稳定运行，因此适用于高温或振动较强的车载环境。总之，凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的N沟道MOSFET开关场合，SML512BC5TT86均是一个极具竞争力的选择。

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　　 "SML512BD5TT86",
　　 "DMG2305U",
　　 "AO3400",
　　 "SI2300ADS",
　　 "FDS6670A"
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