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SMK325B7473KN-T 发布时间 时间:2025/6/6 16:14:02 查看 阅读:5

SMK325B7473KN-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统能耗并提高整体性能。
  这款芯片以其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。通过优化设计,SMK325B7473KN-T 在高频工作条件下仍能保持优异的表现。

参数

型号:SMK325B7473KN-T
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源电压(Vds):70V
  连续漏极电流(Id):47A
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V~4.5V
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  功耗(PD):250W
  结温范围(Tj):-55℃~175℃
  封装形式:TO-263

特性

SMK325B7473KN-T 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流应用中有效减少功率损耗。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 高耐压能力 (70V),确保在各种复杂电路环境中稳定运行。
  4. 优秀的热性能表现,即使在高温环境下也能保持高效运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代绿色电子产品的需求。
  6. 紧凑型封装设计,便于 PCB 布局和安装。

应用

SMK325B7473KN-T 主要应用于以下场景:
  1. 开关电源中的功率转换模块。
  2. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的电源管理单元。
  5. 高效 DC-DC 转换器的核心功率元件。
  6. 充电器和适配器中的功率开关组件。

替代型号

SMK325B7473KN-P, IRF7846PbF, FDP5500NL

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SMK325B7473KN-T参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容0.047µF
  • 电压 - 额定630V
  • 容差±10%
  • 温度系数X7R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.083"(2.10mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高电压
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-1371-6