型号：SMG2302N
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：2.3A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：9.2A
　　导通电阻(RDS(on))：26mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：32mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：380pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：120pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=10V
　　功耗(PD)：1W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃

SMG2302N采用先进的沟槽栅极技术和高密度元胞结构设计，使其在同类产品中具备出色的导通性能和开关效率。其最大漏源电压为20V，适用于低电压供电系统，如3.3V、5V或12V电源轨的应用场景。在VGS=4.5V条件下，RDS(on)仅为26mΩ，显著降低了导通损耗，有助于提高电源系统的整体能效。同时，在更低驱动电压（如2.5V）下仍能保持32mΩ的低导通电阻，展现出良好的低压驱动能力，兼容现代低电压逻辑信号控制，例如由MCU或PMIC直接驱动。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有利于减少开关过程中的驱动损耗和延迟时间，从而实现更快的开关速度和更高的工作频率。这对于需要高频操作的DC-DC变换器、同步整流电路等应用尤为重要。此外，较小的输入电容（Ciss=380pF）也减轻了驱动电路的负担，提升了系统的动态响应能力。
　　SMG2302N的阈值电压范围为0.6V至1.0V，确保在微弱信号下也能可靠开启，避免误触发的同时保证灵敏度。器件还具备良好的热稳定性，内部结构经过优化以改善热量分布，结合SOT-23封装良好的散热性能，可在较高环境温度下长期稳定运行。其1W的最大功耗和高达+150℃的最大结温进一步增强了在严苛工况下的适应性。
　　在可靠性方面，SMG2302N通过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等试验，确保在各种应用环境中长期稳定工作。同时，器件内置一定的ESD保护能力，提升了生产和使用过程中的安全性。综合来看，SMG2302N凭借其高性能参数、小尺寸封装和高可靠性，成为便携式电子设备和高密度电源模块中的优选MOSFET器件。

SMG2302N广泛应用于多种低电压、中等电流的开关与功率控制场合。典型应用包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等设备内的负载开关或电池隔离电路，利用其低导通电阻和快速响应特性，实现高效的电源通断控制，延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换器中，特别是降压型（Buck）和升压型（Boost）拓扑结构中，SMG2302N可作为同步整流管或主开关管使用，有效降低导通损耗，提高转换效率。其高频开关能力使其适用于开关频率较高的电源设计，满足现代电源对小型化和高能效的需求。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，作为低端或高端开关元件，实现方向控制与调速功能。由于其具备较强的脉冲电流承受能力（ID_pulse达9.2A），可应对电机启动瞬间的大电流冲击，保障系统安全运行。
　　在LED驱动电路中，SMG2302N可用于恒流源的通断控制或PWM调光开关，凭借其快速开关特性和低导通压降，减少能量损耗，提升光效一致性。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于传感器电源切换、继电器驱动、I/O端口扩展等场景，作为固态开关替代机械继电器，提高系统响应速度和寿命。同时，其小型化封装非常适合空间受限的嵌入式控制系统。
　　总之，SMG2302N凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，已成为众多中小型功率电子系统中不可或缺的核心元件之一。

SI2302DS
　　AO3400
　　FM2302
　　SSM3K327R