类型：N沟道
　　工艺：Trench
　　最大漏源电压(VDS)：100V
　　最大漏极电流(ID)：14A（在25℃）
　　导通电阻(RDS(on))：21mΩ（最大值，VGS=10V）
　　栅极电压(VGS)：±20V
　　最大功耗(PD)：34W
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装：TDFN1010W

SMF9110TF 具备出色的导通和开关性能，其低 RDS(on) 特性可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率。由于采用先进的 Trench 技术，该器件的导通电阻与栅极电荷的乘积（Qg x RDS(on)）达到优化，从而提高了开关性能。
　　此外，TDFN 封装提供了优异的热性能，使器件在高功率条件下仍能保持稳定工作。封装尺寸紧凑（10x10mm），适合高密度 PCB 设计。
　　该 MOSFET具有良好的雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的汽车电子和工业控制系统。其栅极驱动电压范围宽（最高可达10V），可兼容标准和逻辑电平驱动电路。
　　SMF9110TF 还具备高浪涌电流能力，能够在短时间承受超过额定电流的负载，适用于电机驱动和电源开关等场合。

SMF9110TF 主要用于以下应用领域：
　　1. DC-DC 转换器：由于其低导通电阻和优异的开关性能，非常适合用于同步整流和功率开关。
　　2. 电池管理系统：在电池充放电控制电路中作为主开关元件，提供高效的能量传输。
　　3. 电机驱动器：适用于中小型电机控制电路，特别是在电动工具和机器人系统中。
　　4. 负载开关：用于智能负载管理，如服务器电源、通信设备和工业自动化系统。
　　5. 汽车电子：包括车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等需要高可靠性和高效率的应用场景。
　　6. 电源管理模块：在 UPS（不间断电源）、电源适配器和多路供电系统中作为功率开关使用。

Si9410BDY-T1-GE3, FDS9410A, IRF9540NPBF, AO4407A