时间:2025/12/28 20:31:08
阅读:11
SMF9.0A RVG 是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其他瞬态电压的损害。该器件采用SMF(Small Molded Family)封装,适用于高精度和高可靠性的应用场合。SMF9.0A RVG 的工作电压为9.0V,能够有效钳位瞬态电压,并将电流安全地引导至地,以保护后级电路。该器件广泛用于通信设备、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
封装:SMF
工作电压:9.0V
最大反向关态电压(VRWM):9.0V
钳位电压(Vc):14.4V(最大值,测试条件为Ipp=1.76A)
峰值脉冲电流(Ipp):1.76A
功率耗散:300W(峰值脉冲功率)
响应时间:皮秒级别
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
湿度等级:1级
封装材料:无卤素(符合RoHS标准)
SMF9.0A RVG 以其卓越的电气性能和可靠性著称。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术,具有极快的响应时间,通常在皮秒级别,能够在瞬态事件发生的瞬间迅速导通,从而有效抑制电压尖峰。其SMF封装形式不仅体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,而且具备良好的热稳定性和机械强度。
该TVS二极管的最大反向关态电压(VRWM)为9.0V,意味着在正常工作状态下,它不会对系统电路产生任何干扰,仅在电压超过9.0V时开始导通。钳位电压(Vc)的最大值为14.4V,在峰值脉冲电流为1.76A的情况下仍能保持较低的钳位电压,有助于减少对后级电路的冲击。
器件的峰值脉冲功率可达300W,适用于多种瞬态过电压保护场景,如雷击浪涌、静电放电(ESD)和电感负载开关引起的电压尖峰等。此外,SMF9.0A RVG 具有低漏电流特性,在正常工作电压下漏电流通常小于1μA,不会对系统功耗造成明显影响。
该器件符合RoHS指令,采用无卤素材料制造,符合环保要求。其工作温度范围为-55℃至+150℃,适用于严苛的工业和汽车应用环境。
SMF9.0A RVG 主要用于需要瞬态电压保护的电路中,尤其是在那些对电压波动敏感的低电压系统中。典型应用包括但不限于以下领域:
1. **通信设备**:用于保护以太网接口、USB接口、HDMI接口等高速数据线路免受静电放电(ESD)和浪涌电压的影响。
2. **消费电子产品**:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的电源输入端口和数据接口,提供对瞬态电压的有效抑制。
3. **工业控制系统**:用于PLC、传感器、继电器等工业自动化设备,防止因电磁干扰或电源波动导致的设备损坏。
4. **汽车电子系统**:适用于车载娱乐系统、导航系统、CAN总线通信接口等,满足汽车电子对高可靠性和宽温度范围的要求。
5. **可再生能源系统**:例如太阳能逆变器、风力发电控制器等,用于保护系统免受外部环境引起的电压瞬变。
由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式,SMF9.0A RVG 也广泛用于需要高密度PCB布局的设计中,如嵌入式系统、物联网设备、智能穿戴设备等。
SMBJ9.0A, SMAJ9.0A, TVS1401, ESD9A3.3ST5G