型号：SMF200UOAX3DV
　　制造商：ON Semiconductor
　　封装类型：SMF（DO-219AB）
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：200V
　　最大直流阻断电压（VR）：200V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　正向电压（VF）：典型值1.25V（在1A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：典型值0.5μA（在25°C，200V时），高温下最大50μA
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约150°C/W（取决于PCB布局）
　　极性：单阳极-阴极配置

SMF200UOAX3DV的核心优势在于其高性能的肖特基势垒结构，尽管传统上肖特基二极管难以实现高压阻断能力，但该器件通过优化的半导体工艺实现了200V的高反向耐压，突破了常规肖特基二极管在耐压方面的限制。这种设计结合了肖特基器件快速开关速度与较高电压承受能力的优点，使其在需要兼顾效率与安全裕度的应用中极具竞争力。其低正向导通压降显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率，尤其在低输出电压的DC-DC转换拓扑中效果明显。
　　该二极管具备出色的动态响应特性，反向恢复时间几乎可以忽略不计，有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），这对于高频开关电源和便携式设备中的噪声敏感电路至关重要。此外，SMF200UOAX3DV在高温条件下的反向漏电流控制良好，确保在恶劣工作环境下仍能维持较低的静态功耗，提升了系统长期运行的稳定性与可靠性。
　　SMF封装具有较小的占板面积和低高度，便于自动化贴片生产，支持回流焊工艺，适用于大规模SMT生产线。该封装还具备良好的散热性能，通过PCB铜箔可有效传导热量，避免局部过热。器件的机械强度高，抗振动和冲击能力强，适合工业和汽车电子等严苛应用场景。所有材料均符合国际环保标准，不含铅、镉等有害物质，支持绿色制造和可持续发展要求。

SMF200UOAX3DV广泛应用于各类中低压电源管理系统中，尤其是在需要高效率和小尺寸解决方案的设计中表现突出。常见应用包括AC-DC和DC-DC开关电源中的输出整流或续流二极管，特别是在反激式、降压式（Buck）和升压式（Boost）拓扑结构中，能够有效提升转换效率并降低温升。该器件也常用于电池充电电路、逆变器模块和LED驱动电源中，作为防止电流倒灌的关键元件。
　　在消费类电子产品如智能手机充电器、笔记本电脑适配器、路由器电源模块中，SMF200UOAX3DV凭借其小型化封装和高可靠性成为理想选择。此外，它还可用于工业控制设备、传感器供电单元、PLC模块以及通信基站中的辅助电源部分。由于其具备一定的浪涌电流承受能力，也能在存在瞬态电压波动的环境中提供稳定保护功能。在汽车电子领域，该二极管可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等非主驱电源管理单元，满足AEC-Q101以外的部分车规要求（需确认具体认证状态）。
　　另一个重要应用是作为防反接保护二极管，连接在电源输入端以防止因电源极性接反而损坏后级电路。由于其低正向压降，相较于传统硅二极管能大幅减少压降带来的能量浪费，特别适用于电池供电系统或对能耗敏感的物联网设备。

SMAJ200AHE3/54
　　PMEG2001EH,115
　　MBR1200U