类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：80V
　　最大直流阻断电压（VR）：80V
　　平均整流电流（IO）：8.0A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：125A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：0.97V（典型值），1.0V（最大值），在IF = 8.0A, TJ = 25°C条件下
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA（最大值），在VR = 80V, TJ = 25°C条件下；高温下可增至5.0mA（TJ = 125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SMC（DO-214AB）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJA）：约35°C/W（典型值，依PCB布局而定）
　　热阻（RθJC）：约2.5°C/W（芯片到外壳）

SMD802MSTG的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，从而实现比传统PN结二极管更低的正向导通压降。在典型工作条件下，其正向压降仅为0.97V，在8A大电流下显著降低了功耗和发热，提升了整体电源转换效率。这一特性使其特别适用于对能效要求较高的开关电源和DC-DC变换器中作为输出整流或续流二极管使用。
　　该器件具备高达80V的反向耐压能力，能够适应多种中低压电源系统的应用需求，如12V、24V或48V系统中的瞬态电压防护与整流任务。同时，它支持连续8A的平均整流电流，短时浪涌电流可达125A，表现出较强的过载承受能力，增强了系统在启动或异常工况下的鲁棒性。
　　SMD802MSTG采用SMC封装，尺寸紧凑（约7.1mm x 6.7mm x 2.2mm），引脚间距为2.8mm，非常适合自动化表面贴装工艺，提高了生产效率并节省PCB空间。其较低的热阻（RθJC ≈ 2.5°C/W）确保了热量能有效从芯片传导至外部环境，有助于维持长期工作的稳定性与寿命。
　　另一个关键特性是其快速开关响应能力。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短（通常小于10ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），避免了因反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰问题，这在高频开关电路中尤为重要。
　　此外，SMD802MSTG具有良好的温度稳定性，在结温升至125°C时仍能保持可控的反向漏电流水平（不超过5mA），保证了高温环境下的可靠运行。所有材料均符合RoHS指令，不含铅、镉、汞等有害物质，支持无铅焊接工艺，适用于绿色电子产品制造。

SMD802MSTG因其高电流、低VF和快恢复特性，广泛应用于各类电源管理系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流二极管，尤其是在反激式、正激式或同步整流拓扑结构中用作输出整流器件。由于其80V的反向电压等级，适用于12V至48V输出的电源模块，例如笔记本电脑适配器、LCD显示器电源板、路由器和网络设备供电单元等。
　　在DC-DC转换器中，该器件常被用作续流二极管（flyback diode），连接在电感负载两端以提供电流回路，防止关断瞬间产生的高压损坏MOSFET或其他有源元件。其低正向压降减少了能量损耗，提升了转换效率，尤其在非同步降压变换器中效果显著。
　　此外，SMD802MSTG也适用于逆变器电路、电池充电管理系统、LED驱动电源以及太阳能控制器中的防反接和能量回馈路径。在这些应用中，它可以防止电流倒灌，保护主控电路免受损害。
　　工业控制领域中，该二极管可用于继电器、电磁阀等感性负载的钳位保护，吸收反电动势，延长设备使用寿命。同时，凭借其表面贴装封装形式，也非常适合汽车电子中的辅助电源模块，如车载信息娱乐系统、DC-DC稳压模块等，满足一定的振动和温度循环要求。
　　消费类电子产品中，如智能电视、音响设备、打印机等内部电源部分也能见到SMD802MSTG的身影，主要用于低压大电流整流环节。其高可靠性与成本效益平衡，使其成为工程师在中等功率级别设计方案中的优选器件之一。

MBR80200CT
　　SBM10U40SP5
　　STPS8H100BY
　　VS80250-M3
　　FDMS8802