时间：2025/5/8 18:40:44
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SMBT2002T1G是一种基于硅材料的双极型晶体管（BJT），主要用于开关和信号放大的应用。它属于NPN型晶体管，适用于低功率、高频电路中。该型号采用SOT-23小型封装形式，适合高密度电路板设计。其主要特点是低饱和电压、高增益以及快速开关特性，广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
该晶体管的设计旨在提供优异的电气性能，同时保持较高的可靠性和稳定性。此外，由于其紧凑的封装尺寸和出色的散热能力，SMBT2002T1G在便携式设备中也具有较高的适用性。
集电极-发射极电压：30V
集电极电流：200mA
直流电流增益（hFE）：100~300
最大功耗：350mW
过渡频率（fT）：300MHz
存储温度范围：-55℃ to +150℃
工作结温范围：-55℃ to +150℃
1. 小型SOT-23封装，节省空间，非常适合高密度PCB布局。
2. 高频特性使其非常适合用于射频（RF）放大器和高速开关应用。
3. 具有较低的饱和电压，可以提高效率并减少热量产生。
4. 在宽温度范围内保持稳定的工作性能，适用于恶劣环境下的应用。
5. 高增益确保了即使在微弱信号输入时也能实现有效的信号放大。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
1. 开关电源中的驱动级或控制级应用。
2. 消费类电子产品中的音频信号放大。
3. 通信设备中的射频信号处理。
4. 工业控制中的传感器信号调理。
5. 各种类型的逻辑电平转换和接口电路。
6. LED驱动和电池管理电路中的电流控制。
7. 通用放大器和缓冲器电路。
8. 数据通信中的脉冲调制与解调电路。
MMBT2002T1G, ON2002T1G
