类型：NPN双极型晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　频率范围：250 MHz
　　增益带宽积（fT）：250 MHz
　　直流电流增益（hFE）：110 ~ 800（取决于测试条件）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

SMBT1168LT1晶体管具有多个关键特性，使其在各种电子设计中表现出色。首先，其高频响应特性使其适用于射频和中频放大器设计。晶体管的fT值达到250 MHz，意味着它可以在较高频率下维持良好的增益性能。此外，SMBT1168LT1的低噪声系数使其成为前置放大器和其他低噪声电路的理想选择。
　　其次，该晶体管的hFE值范围广泛（110 ~ 800），提供不同工作条件下的灵活性。这意味着工程师可以根据具体应用选择合适的偏置条件，以优化电路性能。SMBT1168LT1的封装为SOT-23，体积小巧，适合高密度电路板布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　此外，SMBT1168LT1具有较高的最大工作电压（VCE和VCB均为30V），使其适用于多种电源和信号处理应用。晶体管的最大集电极电流为100 mA，功耗为300 mW，适用于低功耗和中等功率设计。在工作温度方面，该器件支持-55°C至150°C的范围，适用于工业级和汽车电子应用。

SMBT1168LT1广泛应用于多种电子系统中，包括射频放大器、音频前置放大器、开关电路、振荡器以及数字逻辑电路。在射频前端设计中，该晶体管用于低噪声放大器（LNA），提高接收信号的灵敏度。在音频应用中，SMBT1168LT1因其低噪声和高增益特性，常用于麦克风放大器和前置放大电路。
　　此外，该晶体管也适用于开关应用，例如驱动LED、继电器或小型电机。其较高的VCE和VCB电压特性使其适合用于电源管理电路和稳压器设计。在数字电路中，SMBT1168LT1可用于构建逻辑门、缓冲器和驱动器电路。由于其良好的温度特性和可靠性，SMBT1168LT1也常见于工业控制设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中。

BC547, 2N3904, SMBT3904LT1, 2SC2240