工作电压：30V
　　最大反向工作电压（VRWM）：30V
　　击穿电压（VBR）：33.3V（最小值）至37.2V（最大值）
　　钳位电压（VC）：53.4V（在Ipp = 9.4A时）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：9.4A
　　最大反向电容（C）：200pF（典型值）
　　漏电流（IR）：≤10μA
　　封装形式：SMB（DO-214AA）

SMBJ30AHM4G 具备快速响应时间和高浪涌吸收能力，能够在极短时间内将瞬态电压钳制到安全水平，从而保护下游电路。该器件采用硅雪崩二极管结构，具有优异的钳位性能和稳定性。其低漏电流特性确保在正常工作状态下不会对电路造成额外负担，同时在待机状态下功耗极低。SMB封装形式使其具有良好的散热性能和机械强度，适用于自动化贴装工艺。此外，该器件符合RoHS环保标准，广泛用于通信设备、电源模块、消费电子产品等对可靠性要求较高的场合。
　　该TVS二极管的钳位电压较低，能够在瞬态事件中提供更强的保护能力。其单向击穿特性使其适用于直流或单向电压保护场景，如电源输入端、数据线和控制信号线的保护。SMBJ30AHM4G 的设计使其在极端环境条件下仍能保持稳定性能，例如高温、潮湿或震动环境。其具备高可靠性，在多次浪涌冲击下仍能维持原有性能，是工业控制、汽车电子、安防系统等关键应用的理想选择。

SMBJ30AHM4G 主要用于各种电子设备中的电压瞬态保护，常见应用包括电源适配器、通信模块、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）、工业控制系统、汽车电子模块、传感器接口、USB接口保护等。此外，它还可用于保护敏感的模拟和数字电路免受ESD损害，确保设备在复杂电磁环境中稳定运行。

SMBJ30A, SMAJ30A, 1.5SMC30A