类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大28mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SMB
　　功率耗散(Pd)：100W

SMBG5359B 具有优异的电气性能和可靠性，其核心特性之一是低导通电阻 Rds(on)，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在 Vgs=10V 时的 Rds(on) 最大为 28mΩ，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
　　此外，SMBG5359B 的漏源电压为 30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压功率应用。其连续漏极电流可达 10A，在适当的散热条件下可支持更高的电流负载。
　　该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，提高了开关速度和频率响应，从而减少了开关损耗。这使得 SMBG5359B 非常适合用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等场合。
　　在封装方面，SMBG5359B 采用 SMB 封装，具有良好的热传导性能，便于在 PCB 上安装和散热管理。SMB 封装还提供了较小的占板面积，适合高密度设计需求。
　　器件的栅源电压为 ±20V，提供良好的栅极控制能力，同时具备较高的抗电压冲击能力。SMBG5359B 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。

SMBG5359B 广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统等。在电源管理领域，该器件可作为高侧或低侧开关，用于提高转换效率并降低功耗。
　　在 DC-DC 转换器中，SMBG5359B 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，其快速开关特性和低导通电阻使其成为高频开关应用的理想选择。
　　作为负载开关使用时，SMBG5359B 能够有效地控制电源分配，实现快速通断和低功耗操作。
　　在电机驱动电路中，该 MOSFET 可用于 H 桥结构，实现电机的正反转控制，并提供较高的电流承载能力。
　　此外，SMBG5359B 也可用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保电池在安全范围内工作，并提高整体系统效率。

Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, IRF7413, FDV303N, NDS355AN