SMB33A 是一款由 Semiconductor Components Industries(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为需要高效率、高速开关和低导通电阻的应用设计,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等多种电力电子领域。SMB33A 采用 SMB(Surface Mount Bracket)封装形式,具有良好的热管理和高可靠性,适用于表面贴装技术(SMT),便于在现代电子设备中使用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(ID):30A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷(Qg):60nC
功率耗散(PD):100W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:SMB
SMB33A 具有极低的导通电阻(RDS(on)),使其在高电流应用中具有较低的导通损耗,从而提高系统效率。其高电流承载能力(高达 30A)和 30V 的漏源电压额定值,使其适用于中等功率的 DC-DC 转换器和同步整流电路。此外,该器件的栅极电荷(Qg)相对较低,有助于减少开关损耗,提高开关频率下的性能。
该 MOSFET 的 SMB 封装形式具备良好的热传导性能,可有效将热量从芯片传导至 PCB 或散热器,确保在高功率密度设计中的稳定运行。SMB33A 的 ±20V 栅源电压耐受能力增强了其在高频开关应用中的可靠性,减少了栅极驱动电路的设计复杂性。
此外,SMB33A 具有较高的耐用性和抗浪涌能力,适合用于电机驱动、电池管理系统(BMS)和工业自动化设备等要求较高的应用场景。
SMB33A 广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中,包括同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电机控制器、电池充电器和工业电源模块。其高效率和高可靠性也使其成为汽车电子系统(如车载充电器和电动助力转向系统)的理想选择。此外,SMB33A 也适用于需要快速开关和低导通损耗的高密度电源设计,如服务器电源、通信设备和消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF3305, Si4410BDY, FDS4410A, NTD33N03R2