类型：MOSFET（双路N沟道）
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大）
　　功耗（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：SMB

SMB262K 具备多个关键特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体效率。其次，该器件的双路 N 沟道 MOSFET 结构使其能够并联使用或用于同步整流拓扑中，例如在半桥或全桥电路中提供高效的开关性能。此外，SMB262K 的封装设计具备良好的热管理能力，能够有效地将热量传导到 PCB 上，提高系统的可靠性和稳定性。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 至 20V 驱动电压，兼容多种栅极驱动器电路。SMB262K 还具备高雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或电感负载切换时提供更高的安全性。此外，其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）、同步整流器和马达驱动器。
　　在汽车应用中，SMB262K 可用于车载充电器、电动助力转向系统、电池管理系统等，其宽工作温度范围确保在极端环境下仍能稳定工作。

SMB262K 主要应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等高效电源拓扑中。
　　2. **电机控制**：适用于无刷直流电机驱动、伺服电机控制等场合。
　　3. **汽车电子**：用于车载充电系统、电池管理系统、电动助力转向系统等。
　　4. **工业自动化**：适用于 PLC 输出模块、继电器替代、固态继电器等。
　　5. **消费类电子产品**：如笔记本电脑电源适配器、移动电源等需要高效率功率转换的场合。

STB262K, FDPF262K, IPB262K