类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：100V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id（@25°C）：100A
　　导通电阻 Rds(on)：≤ 9.2mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：134W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：SMB（表面贴装）

SMB100C MOSFET 具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作条件下，器件的功率损耗最小化，从而提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，使其适用于高频开关应用。
　　此外，SMB100C 采用 SMB 封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合在高功率密度和高温环境下使用。封装材料符合 RoHS 标准，并具备良好的抗湿热能力，提高了器件的长期可靠性。
　　该 MOSFET 还具备较强的抗雪崩能力和较高的短路耐受性，适用于电机控制、电池管理系统和工业自动化等对可靠性要求较高的场合。栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），使其能够与多种类型的驱动电路兼容，包括逻辑电平控制器。

SMB100C 主要应用于需要高效功率切换的场景，例如：
　　1. DC-DC 转换器：用于电信设备、服务器电源和工业电源中的高效率功率转换模块。
　　2. 负载开关：在电源管理系统中作为高侧或低侧开关，用于控制电池供电设备的电源通断。
　　3. 马达驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）控制器、电动工具和机器人驱动系统。
　　4. 电池管理系统（BMS）：用于保护和控制锂离子电池组的充放电过程。
　　5. 工业自动化和控制：在工业电机控制、PLC（可编程逻辑控制器）和继电器替代方案中提供高可靠性的功率开关解决方案。

IRF1405, SiR100DP, FDD8882, IPB100N10N3 G