SMAB13-RTK/P 是由STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款低功耗、高性能的射频(RF)晶体管,属于NPN型双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)类别。该器件专为高频放大和混频应用设计,适用于无线通信、广播接收、射频识别(RFID)以及其他射频前端电路。
类型:NPN双极性晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):15V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功率耗散(PD):300mW
工作频率范围:100MHz至1.2GHz
电流增益(hFE):在10mA、10V时最小为40
噪声系数(NF):典型值0.6dB
封装类型:SOT-23
SMAB13-RTK/P 的设计使其在高频条件下具有出色的性能,尤其是在低噪声放大方面。该晶体管在1.2GHz以下的频率范围内具有较低的噪声系数,通常在0.6dB左右,使其非常适合用于射频前端的小信号放大器。此外,该器件具有良好的线性度和增益稳定性,适用于需要高保真信号处理的应用场景。
其SOT-23封装形式不仅体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,而且具备良好的热稳定性和可靠性。SMAB13-RTK/P 也具有较高的电流增益(hFE),在10mA的工作电流下最小为40,这使得它在射频放大电路中能够提供稳定的增益表现。
该晶体管的工作温度范围较宽,通常在-55°C至+150°C之间,适用于工业级和汽车电子应用。同时,其最大集电极-发射极电压为15V,能够在一定的电压范围内安全运行,适用于多种电源配置的射频系统。
SMAB13-RTK/P 主要应用于射频和微波通信系统中,包括但不限于以下领域:
1. 低噪声放大器(LNA):用于无线接收机前端,提高信号接收灵敏度。
2. 射频混频器:用于频率转换电路,常见于调制解调器和通信模块。
3. 射频识别(RFID)系统:用于读写器的信号放大和处理电路。
4. 广播接收器:如FM收音机、电视调谐器等设备中的射频信号放大。
5. 工业与汽车电子:如远程无钥匙进入系统、胎压监测系统(TPMS)等需要射频信号处理的场合。
BFU520, BFG21, BFR106, BFQ69, BFQ68